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文檔簡介
1、江南大學碩士學位論文0.8μmSOICMOSSPICE器件模型參數(shù)提取姓名:顧愛軍申請學位級別:碩士專業(yè):微電子學與固體電子學指導教師:孫鋒20080701Abs仃actAbstractThisthesisiSonepartofanationalR&DprojectwhichiSnamedSOISPICE/CMOSmodelparameterextractiontechnologyThemajortaskwastodesigndevic
2、eteststructure&testcondition,extractionstrategy&verificationmethod,supplyfullsetofO8BmSOICMOSSPICEmodelparameters,haveselfownedintellectualassetofpatent,supporttheconstructionof08BmSOICMOSprocessplatform,andworkforthedes
3、igning&manufacturingofanti—radiatinICThepaperstudiedthePartiallyDepleted(PD)SOIMOSFETandBSIM口DmodelparametersThepaperdesignH—gatebody—contactNMOS/PMOSdeviceteststructure,testcondition,extractionstrategyoptimizethemodelpa
4、rameterextractionprocedure,verifycircuitThepaperdesignedthelayoutoftestdevice&veilfycircuit,andhadthephotomaskmade,finishedthewaferprocessing,useProber&腫4155BtotestparameteruseICCAPsoftwaretoextract&simulateparameteruset
5、heverfycircuittoinvestigatetheefficiencyofextractedmodelparameterThepapermanagedtofinishthetaskof08ILtmCMOS/SOIMOSFETSPICEparamterextraction&verification,simulatedinverters,a51stageringoscillatora16bitdividertoassessthem
6、odelperformanceThe08umPDSOIMOSFETSPICEmodelparameterextractioniSdemonstratedandthesimulationefficiencyiSstudiedTheachievementprovedtheabilitytoextractSOIdeviceSPICEparameterTheaimofthestudywasachievedKeywords:SilicononIn
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