基于CMOS兼容工藝的器件模型和參數(shù)提取的研究.pdf

1、智能功率集成電路（SPIC）的出現(xiàn)，對(duì)于提高系統(tǒng)的可靠性，降低其成本、重量和體積，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的小型化、智能化有著重要的意義。SPIC已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于通信、計(jì)算機(jī)、汽車電子及家用電器等領(lǐng)域中，大大推動(dòng)了電子工業(yè)的進(jìn)一步發(fā)展，被有關(guān)專家稱為“第二次電子革命”。SPIC將高壓器件和低壓電路集成在一起，需要考慮專門的隔離技術(shù)。如果采用BCD技術(shù)，則工藝成本和對(duì)工藝精度的要求都較高。而依據(jù)陳星弼教授提出的優(yōu)化橫向變摻雜專利技術(shù)，可以設(shè)計(jì)出不采用BC

2、D的方法而采用與普通CMOS兼容的新工藝的SPIC，既大大降低了成本，簡(jiǎn)化了外部電路設(shè)計(jì)的同時(shí)又顯著提高了系統(tǒng)性能。本文正是基于這種兼容于CMOS的工藝，從器件模型和模型參數(shù)提取的角度研究SPIC的制作。
　　本文首先介紹了模型的基本理論和參數(shù)提取的相關(guān)方法?；仡櫫薓OSFET和BJT器件的模型分類和發(fā)展前沿。在介紹了使用的CMOS兼容工藝之后，詳細(xì)討論了提取MOSFET LEVEL=3級(jí)模型和BJT的Gummel-Poon模型參