與標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝兼容的硅基光發(fā)射器件研究.pdf

1、隨著光纖通信技術(shù)和微電子技術(shù)的飛速發(fā)展，光電集成的研究成為當(dāng)今世界前沿研究的熱點(diǎn)。而其中關(guān)鍵的一環(huán)，就是要研制出一種能滿足光互聯(lián)技術(shù)要求的實(shí)用光源。硅是微電子技術(shù)的主要材料，但由于其為一種間接帶隙的半導(dǎo)體材料，在發(fā)光方面具有先天的不足。目前已經(jīng)發(fā)展了多種硅基光發(fā)射技術(shù)，如多孔硅、納米硅、鍺硅等技術(shù)，取得了許多重要的進(jìn)展。但是，這些技術(shù)都采取了復(fù)雜的工藝手段，與當(dāng)前微電子超大規(guī)模集成電路(VLSI)的成熟工藝不兼容，限制了芯片內(nèi)部光互聯(lián)的

2、實(shí)現(xiàn)。由于硅發(fā)光器件結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、與標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝兼容等特點(diǎn)，得到了許多研究者的注意，在發(fā)光機(jī)理研究、器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制備方面取得了很大的進(jìn)展。
　　 文在與標(biāo)準(zhǔn)COMS工藝兼容的硅基光發(fā)射器件方面進(jìn)行了廣泛而深入的研究，通過(guò)測(cè)試Chartered公司0.35μm dg(雙柵)標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝進(jìn)行流片制造的不同結(jié)構(gòu)器件，對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行總結(jié)，分析了結(jié)構(gòu)對(duì)器件特性的影響。在此基礎(chǔ)上，采用0.35μm標(biāo)準(zhǔn)CMOS EEPROM工藝進(jìn)行了器