SOI-CMOS兼容橫向PIN近紅外鍺硅光探測器的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、該論文結合國內(nèi)外最新研究動態(tài),根據(jù)80年代中期發(fā)展起來的應變SiGe/Si異質(zhì)結構和超晶格理論,在分析總結國內(nèi)外有關臺面型縱向pin結構應變SiGe/Si多量子阱光電探測器研究成果基礎上,首次提出將應變SiGe/Si材料特性、Fabry-Perot諧振腔光場增強吸引效應和pin光電探測器原理等有機結合在一起,利用UHV/CVD鍺硅外延工藝和CMOS工藝流水在SOI襯底上制作與SOI/CMOS具有良好兼容性的橫向pin結構鍺硅近紅外光電探

2、測器,設計了合理的版圖和工藝步驟,通過工藝流水,成功制作出具有預期特性的管芯.該論文還從半導體基本方程和應變Si<,1-x>Ge<,x>/Si材料特性出發(fā),提出了器件的工作原理,在合理近似基礎上,得出了器件特性參數(shù)的解析表達式,證明了器件結構的優(yōu)點和有效性.為了驗證、補充實驗和理論分析結果,用SILVACO半導體器件模擬軟件,對結構和工藝數(shù)據(jù)對器件性能的影響進行了模擬分析,獲得了與理論和實驗相一致的結果,為進一步深入研究提供了指導和參考

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