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1、MOSFET小功率功放小功率功放文章出處:發(fā)布時間:201182420:36:54“MOSFET“是英文MetalOxideSemiconductFieldEffectTransist的縮寫,譯成中文是“金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管“.它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導(dǎo)體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(PowerMOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安),用于功率輸出級的器件。由于市場差異,MOSFET小功
2、率功放選管參數(shù)可定為Vgs≈1VVds≈30VId≈2Agfs≈15~20s可使用N溝道K214PP溝道J77或K246J103使用雙電源5~27V均可,輸出功率2.5~25W.制作要點(diǎn)為A點(diǎn)電壓控制在1.8~2.3V之間,MOSFET盡量斷電焊接。一款性能極佳的JFETMOSFET耳機(jī)功放電路圖場效應(yīng)管(MOSFET)組成的25W音頻功率放大器電路圖功放電路技術(shù)參數(shù):輸出功率:25V8ohm負(fù)載.靈敏度:200mV輸入25W輸出頻率響
3、應(yīng):30Hzto20KHz1dBTHD@1KHz:0.1W0.014%1W0.006%10W0.006%20W0.007%25W0.01%THD:0.1W0.024%1W0.016%10W0.02%20W0.045%25W0.07%音頻功放電路:R1R4=47K14W電阻R2=4K714W電阻R3=1K514W電阻R5=390R14W電阻R6=470R14W電阻R7=33K14W電阻R8=150K14W電阻R9=15K14W電阻R10=
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