cool mosfet與的其他mosfet的區(qū)別

1、CoolMOSFET與的其他MOSFET的區(qū)別MOSFET的發(fā)展大致分為三個(gè)階段，第一個(gè)階段是采用平面水平溝道的MOSFET，第二個(gè)階段是垂直導(dǎo)電型MOSFET（VMOSFET），第三個(gè)階段是溝道式柵極MOSFET和CoolMOSFET。1結(jié)構(gòu)上的區(qū)別結(jié)構(gòu)上的區(qū)別平面水平溝道的MOSFET的結(jié)構(gòu)如圖1所示。圖1平面水平溝道的MOSFET它的源極S、漏極D和柵極G都處在硅單晶的同一側(cè)，當(dāng)柵極處于適當(dāng)正電位時(shí)，其二氧化硅層下面的晶體表面區(qū)由

2、P型變?yōu)镹型（反型層），形成N型導(dǎo)電溝道。平面水平溝道的MOSFET在LSI（大規(guī)模集成電路）里得到了廣泛的應(yīng)用。MOSFET的理論里，要得到大的功率處理能力，要求有很高的溝道寬長(zhǎng)比WL，而平面水平溝道的MOSFET的溝道長(zhǎng)L不能太小，因此只能增大芯片面積，這很不經(jīng)濟(jì)。所以其一直停留在幾十伏電壓，幾十毫安電流的水平。平面水平溝道的MOSFET的大功率處理能力的低下促使了垂直導(dǎo)電型MOSFET（VMOSFET）的出現(xiàn)，VMOSFET分為V

3、VMOSFET和VDMOSFET兩種結(jié)構(gòu)，比較常用的是VDMOSFET，其結(jié)構(gòu)如圖2、3所示。圖2VVMOSFET結(jié)構(gòu)圖圖5CoolMOSFET結(jié)構(gòu)圖CoolMOSFET則是兩個(gè)垂直P(pán)井條之間的垂直高摻雜N＋擴(kuò)散區(qū)域?yàn)殡娮犹峁┝说妥柰罚瑥亩档屯☉B(tài)電阻。較低濃度的兩個(gè)垂直P(pán)井條主要是為了耐壓而設(shè)計(jì)的。CoolMOSFET的通態(tài)電阻為普通的VDMOSFET的15，開(kāi)關(guān)損耗因此減為普通的VDMOSFET的12，但是CoolMOSFET固有

4、的反向恢復(fù)特性的動(dòng)態(tài)特性不佳。2主要電氣性能比較主要電氣性能比較CoolMOSFET和其他MOSFET種類(lèi)繁多，為了能有一個(gè)直觀的印象，現(xiàn)對(duì)SPP20N60CFD（CoolMOSFET）、IRFP460LC、IRFPC60LC、IXFH40N50進(jìn)行主要電氣性能比較，見(jiàn)表1。SPP20N60CFDIRFP460LCIRFPC60LCIXFH40N50PolarityNVDS(max)600VRDS(on)(max)0.19Oh(max)

5、20.7AIDpuls(max)52APtot(max)208WVGS(th)(min)3VVGS(th)(max)5VCiss(typ)Crss(typ)Coss(typ)Qg(typ)95nCRthJC(max)0.6KWPackageTO2203表1SPP20N60CFD、IRFP460LC、IRFPC60LC、IXFH40N50主要電氣性能比較從表1可以看出，CoolMOSFET的優(yōu)點(diǎn)是：1、通態(tài)電阻小，通態(tài)損耗小2、同等功率下