功率MOSFET的SOA測試與驗證系統(tǒng)實現(xiàn).pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著我國經濟的持續(xù)快速發(fā)展與環(huán)境問題的日益嚴峻，能量處理的管理需求隨之增加。在對電壓電流的運用進行有效控制方面，功率器件起到了至關重要的作用。而功率MOSFET作為新型半導體器件的代表，在各個領域被廣泛應用。由于功率MOSFET需要安全地工作在一定的條件下，并且在工作條件發(fā)生突變時仍能保證器件安全工作而不會引發(fā)電力電子裝置破壞性問題。因此，其安全區(qū)工作區(qū)的確定工作尤為重要。
　　本文選取功率MOSFET的安全工作區(qū)（SOA，Saf

2、e Operating Area）作為研究背景，并選取VDMOS作為具體研究對象，對其影響安全工作區(qū)的熱特性和電特性進了分析，確定了限制安全工作區(qū)范圍的參數因素。針對最大直流功耗以及最大脈沖功耗限制，本文對功率MOSFET的穩(wěn)態(tài)熱阻和瞬態(tài)阻抗進行了詳細研究。本文隨后通過實驗測量了限制功率MOSFET安全工作區(qū)的電學參數。最終根據以上測試參數確定了理論的SOA曲線。
　　針對在實際應用中，功率MOSFET在安全工作區(qū)臨界點處的工作失

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