基于CMOS工藝的高壓MOSFET的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、數?;旌想娐返脑O計日益受到重視.所以如何利用流行的CMOS工藝制造出高壓器件并與原有低壓電路相兼容已經成為擺在很多研究者面前的一個課題.開發(fā)"與CMOS低壓電路集成的1 8V和30V高壓MOSFET"是摩托羅拉公司的最新研究項目,主要是為手機中的LCD Driver電路而設計的.本文是對高壓MOSFET設計的理論性研究和實踐性工作的總結.具體內容主要包括以下幾個方面:1.用工藝和器件模擬軟件"ISE"中的模擬程序"D工OS"和"DESS

2、IS"對具有不同場板結構的高壓MOSFET進行了工藝模擬和器件模擬.模擬結果說明了對于耐壓為18~30V的MOS器件,其擊穿點位于柵下靠近表面的漏襯結處.該處電場最強,碰撞電離率最高.模擬結果同時還說明了場板結構可以有效的降低柵下的電場強度,減低碰撞電離率,從而提高該處的擊穿電壓.利用實驗測量驗證了模擬結果,并從理論上對場板工作的機理進行了探討.2.在高壓MOSFET的結構中,利用柵極向漏極延伸而構成場板.利用RESURF理論在靠近漏極

3、一側做了漂移區(qū).在30V的N型MOSFET中采用了N型埋層結構,并且將N型隔離阱一直做到埋層,與埋層共同構成隔離區(qū),將高壓NMOS與其周圍器件進行隔離.而對P型MOSFET則主要依靠其本身的自隔離.另外根據上述結構還設計了高壓MOSFET的CMOS集成工藝.3.設計了高壓MOSFET的版圖,并對版圖設計中的主要設計規(guī)則進行了說明.根據實際測量結果給出了18V和30V器件設計規(guī)則的具體數值.該文對場板工作機理的研究,對高壓MOSFET中場

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