基于CMOS工藝的EBPSK調(diào)制電路設(shè)計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、在頻譜資源貴如黃金的今天，提高頻譜利用率成為通信技術(shù)發(fā)展新的突破口，超窄帶通信就是一種可極大提高頻譜利用率的新技術(shù)。隨著超窄帶通信技術(shù)的理論研究越來越深入，其實用化技術(shù)也逐漸提上議事日程。
　　本文采用TSMC0.18μm CMOS工藝，設(shè)計載波頻率在200 MHz-2.4 GHz范圍的EBPSK調(diào)制芯片，要求在三種特殊的調(diào)制模式（反相調(diào)制模式、MCM調(diào)制模式和窄脈沖調(diào)制模式）中可自由選擇，并且在50Ω負載上輸出調(diào)制信號的幅度大于

2、300mV。系統(tǒng)總體結(jié)構(gòu)分為三大模塊:單轉(zhuǎn)雙電路、開關(guān)調(diào)制電路和輸出放大緩沖電路。由于載波信號頻帶范圍寬，輸入信號幅度大，特采用了帶源極負反饋的單轉(zhuǎn)雙電路;為保證后續(xù)開關(guān)電路的開和關(guān)的準(zhǔn)確性，增加了補償電容來降低輸出兩路信號的相位不匹配。對于開關(guān)調(diào)制電路模塊，本文采用的是雙平衡MOS開關(guān)調(diào)制電路，可有效抑制輸入端、開關(guān)控制端到輸出端的泄漏，使得輸出波形更加純凈。為使輸出調(diào)制信號不失真輸出，本次設(shè)計在輸出緩沖中采用了并聯(lián)峰化技術(shù)以提高輸出

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