基于CMOS工藝歸零碼模擬解調(diào)電路設(shè)計(jì).pdf

1、隨著經(jīng)濟(jì)建設(shè)的快速發(fā)展，各種通信設(shè)備的大量建設(shè)，同時(shí)人們對(duì)高質(zhì)量、高速度信息資源傳輸?shù)囊螅沟锰岣哳l譜利用率的研究受到了國(guó)內(nèi)外專家的廣泛關(guān)注。采用歸零碼的EBPSK調(diào)制是一種高效的調(diào)制方式，本文針對(duì)EBPSK的三種特殊調(diào)制方式設(shè)計(jì)對(duì)應(yīng)的硬件解調(diào)電路。
　　本文設(shè)計(jì)的基于CMOS工藝歸零碼模擬解調(diào)電路主要由單端到雙端接口電路、混頻器、低通濾波器、雙端到單端接口電路、反相器組、D觸發(fā)器等構(gòu)成。為了提高單端到雙端輸出的差分信號(hào)在高頻處

2、相位匹配性，單端轉(zhuǎn)雙端電路加入了補(bǔ)償電容;為了提高混頻器三階截點(diǎn)，本文在研究雙平衡混頻器的基礎(chǔ)上，分析了工作在亞閾區(qū)的偽差分結(jié)構(gòu)與三階截點(diǎn)的關(guān)系，給出了優(yōu)化的混頻器電路結(jié)構(gòu);低通濾波器采用Gm-C跨導(dǎo)結(jié)構(gòu)，不僅截止頻率可調(diào)，還能減少版圖面積和系統(tǒng)功耗;為了采用D觸發(fā)器對(duì)信號(hào)采樣，本文設(shè)計(jì)了由電流鏡構(gòu)成的雙端到單端電路，并通過(guò)反相器組對(duì)濾波器輸出信號(hào)整形;為了使用同一電路實(shí)現(xiàn)三種調(diào)制波的解調(diào)功能，電路設(shè)計(jì)了兩組反相器，通過(guò)調(diào)節(jié)PMOS和N

3、MOS管的寬長(zhǎng)比，得到不同的翻轉(zhuǎn)電平;D觸發(fā)器在原有的傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)上，采用下降沿觸發(fā)方式，減少了器件數(shù)目和版圖面積。
　　本文采用TSMC0.18μm RF CMOS工藝完成整體電路設(shè)計(jì)，整個(gè)電路芯片面積0.550mm×0.756mm。后仿真結(jié)果給出，當(dāng)工作電壓為1.8V，高阻負(fù)載，電路輸出幅度近似1.8V。同時(shí)電路能夠滿足反相調(diào)制、缺周期調(diào)制、窄帶調(diào)制的解調(diào)功能，且占空比在10％～90％可選，載波頻率10MHz～2.4GHz。在TT