單晶片化學(xué)機(jī)械單面拋光機(jī)的的設(shè)計(jì)

1、畢業(yè)論文（設(shè)計(jì)）立題表畢業(yè)論文（設(shè)計(jì)）立題表立題題目單晶片拋光機(jī)的設(shè)計(jì)題目來(lái)源□來(lái)源于生產(chǎn)實(shí)際□來(lái)源于科研項(xiàng)目□其他題目性質(zhì)□基礎(chǔ)研究□應(yīng)用研究□應(yīng)用基礎(chǔ)研究□其他題目完成形式□畢業(yè)論文□畢業(yè)設(shè)計(jì)申請(qǐng)立題教師杜宏偉職稱(chēng)講師從事專(zhuān)業(yè)機(jī)械工程立題說(shuō)明：CMP技術(shù)是超大規(guī)模集成電路制造過(guò)程中的關(guān)鍵技術(shù)之一CMP設(shè)備作為技術(shù)的載體，是集機(jī)械和化學(xué)拋光技術(shù)優(yōu)勢(shì)于一體的先進(jìn)拋光設(shè)備，是原始硅片、氧化物、鎢、層間介質(zhì)、淺溝道隔離、多晶硅等膜片拋光的優(yōu)

2、選設(shè)備，是銅互連技術(shù)中必不可少的先進(jìn)制造設(shè)備。它已成為設(shè)備制造行業(yè)進(jìn)入下一代工藝設(shè)備市場(chǎng)的新挑戰(zhàn)，只有迎接挑戰(zhàn)，開(kāi)發(fā)工藝及設(shè)備，以保障工業(yè)持續(xù)發(fā)展和綜合技術(shù)逐步提高。CMP設(shè)備的研究開(kāi)發(fā)工作過(guò)去主要集中在以美國(guó)為主的聯(lián)合體SEMATECH，現(xiàn)在己發(fā)展到全球，如歐洲聯(lián)合體JESSI、法國(guó)研究公司LETI和C等，日本在CMP方面發(fā)展很快，并且還從事硅片CMP設(shè)備供應(yīng)。我國(guó)臺(tái)灣和韓國(guó)也在CMP方面研究較多，但我國(guó)國(guó)內(nèi)在CMP設(shè)備方面的研究者甚

3、少。國(guó)內(nèi)硅片制造水平與國(guó)外相比有較大差距，仍以直徑100~150mm的硅片為主流產(chǎn)品，直徑為200mm的硅片才開(kāi)始規(guī)模生產(chǎn)，生產(chǎn)設(shè)備，幾乎都要從國(guó)外引進(jìn)。因此，我們必須依靠自己的力量研究具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的大直徑硅片的超精密加工技術(shù)與設(shè)備。本課題設(shè)計(jì)一臺(tái)晶片雙面化學(xué)機(jī)械拋光實(shí)驗(yàn)機(jī)，提高加工效率和精度。其工件為浮動(dòng)狀態(tài)，上下拋光盤(pán)同時(shí)對(duì)工件進(jìn)行拋光加工。機(jī)床主要用于拋光硅片、鉭酸鋰和鈮酸鋰等單晶薄片材料。教研室意見(jiàn)教研室主任簽名：年月日畢業(yè)