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文檔簡介
1、碳化硅單晶片是最具有發(fā)展前景的半導體材料，廣泛應用于微電子，光學，半導體照明，集成電路等。目前發(fā)光二極管的發(fā)展速度非常迅速，相應的作為襯底材料對碳化硅單晶片表面要求精度更高、質(zhì)量更好?；瘜W機械拋光是目前能實現(xiàn)全局平面化較為實用的一種方法。研究碳化硅化學機械拋光技術(shù)中各因素對研磨去除率和研磨表面質(zhì)量的影響具有重要的理論指導意義和實際應用價值。本文綜合運用正交試驗法、單因素試驗研究和極差分析的方法，對SiC單晶片進行化學機械拋光試驗，介紹和
2、分析拋光液的去除原理，選擇并優(yōu)化拋光液成分含量，以提高研磨膏的材料去除率，改善加工后的表面質(zhì)量。
本文采用化學機械拋光工藝方案，以ZYP300型研磨拋光機為試驗平臺，對SiC單晶片拋光參數(shù)進行研究。試驗中選用自行研制的含白剛玉W0.5、W1、W1.5、W2.5、W3.5磨粒的拋光液進行研磨工藝試驗，研究了拋光壓力、拋光盤盤轉(zhuǎn)速、載物臺轉(zhuǎn)速、磨粒粒度、氧化劑含量、分散劑含量、磨料含量等因素對化學機械拋光加工的影響規(guī)律。并進行
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