銅化學(xué)機(jī)械拋光工藝的拋光液研究.pdf

1、銅的化學(xué)機(jī)械拋光已經(jīng)成為現(xiàn)代集成電路制造行業(yè)中發(fā)展最為迅速的工藝，在集成電路芯片制造的過程中它可以滿足各種不同薄膜的平坦化要求。盡管銅化學(xué)機(jī)械拋光工藝的發(fā)展非常迅猛，但是相對(duì)來說它的理論基礎(chǔ)研究還并不完善，尤其是硅片拋光液和拋光墊之間的相互作用關(guān)系，新的化學(xué)機(jī)械拋光工藝必然會(huì)有新的更復(fù)雜的化學(xué)劑配方加入。總之，對(duì)于下一代化學(xué)機(jī)械拋光工藝的發(fā)展，如何理解拋光液的基本原理以及進(jìn)行改善是非常關(guān)鍵的。 拋光液的優(yōu)劣主要有拋光率，平坦性以

2、及缺陷的數(shù)量等幾個(gè)參數(shù)反應(yīng)。為了獲得更加平坦的表面在拋光之前必須形成鈍化層然后進(jìn)行拋光，使用的化學(xué)添加劑比如過氧化氫（H2O2）等作為氧化劑來形成這個(gè)表面鈍化層，其他的化學(xué)添加劑作為抑制劑或配位劑也會(huì)加入拋光液對(duì)氧化層進(jìn)行調(diào)節(jié)。在這個(gè)研究中，我們使用氧化劑為過氧化氫的拋光液，然后試驗(yàn)不同的配位劑和抑制劑在PH值2至10的范圍內(nèi)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。經(jīng)過分析和比較最終的平坦化效果，確定兩種配位劑和一種抑制劑作為拋光液的成分。同時(shí)對(duì)于這種配方的拋光液在