拋光墊特性及其對(duì)化學(xué)機(jī)械拋光效果影響的研究.pdf

1、隨著超大規(guī)模集成電路(ULSI)制造技術(shù)的發(fā)展,作為襯底材料硅片的尺寸越來(lái)越大,特征尺寸越來(lái)越小,對(duì)硅襯底拋光片拋光質(zhì)量的要求也越來(lái)越高.雖然目前化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)技術(shù)廣泛應(yīng)用于硅襯底拋光和多層布線中的層間平坦化加工中,但在實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中仍存在拋光效率低、加工質(zhì)量重復(fù)性差、成品率低等問(wèn)題,因此應(yīng)針對(duì)影響CMP過(guò)程的因素及其對(duì)拋光效果的影響規(guī)律進(jìn)行深入研究.拋光墊作為CMP系統(tǒng)的重要組成部分,其性能直接影響CMP過(guò)程及拋光效果.本文首

2、先在根據(jù)拋光墊特性參數(shù)的各自不同特點(diǎn),確定了可行的檢測(cè)方案,并對(duì)厚度、密度、硬度、壓縮比、回彈率、孔隙率、溝槽、表面粗糙度以及拋光液的承載能力等影響拋光墊性能的主要特性參數(shù)進(jìn)行了檢測(cè)和評(píng)價(jià),為研究拋光墊特性與拋光效果之間的關(guān)系提供了基本數(shù)據(jù).在此基礎(chǔ)上,以CP-4型桌面式CMP試驗(yàn)臺(tái)為平臺(tái)采用正交實(shí)驗(yàn)法,確定了拋光壓力、拋光盤(pán)轉(zhuǎn)速、拋光液流量、拋光頭的擺動(dòng)幅度及拋光頭的擺動(dòng)速度等工藝參數(shù)的最佳范圍,并通過(guò)單因素實(shí)驗(yàn)法研究了這些工藝參數(shù)對(duì)