IC制造中硅片化學(xué)機械拋光材料去除機理研究.pdf

1、大連理工大學(xué)博士學(xué)位論文IC制造中硅片化學(xué)機械拋光材料去除機理研究姓名：蘇建修申請學(xué)位級別：博士專業(yè)：機械制造及其自動化指導(dǎo)教師：郭東明康仁科20060701lC制造中硅片化學(xué)機械拋光材料去除機理研究表面材料去除率模型，分析了拋光機運動參數(shù)對材料去除率的影響，并進(jìn)行了硅片CMP材料去除率實驗，其實驗結(jié)果與仿真計算的結(jié)果基本一致。(6)根據(jù)磨粒在硅片表面上運動軌跡模型，分析了拋光機運動參數(shù)對磨粒在硅片表面運動軌跡分布的影響，提出了基于像素

2、統(tǒng)計原理的硅片表_匝磨粒運動軌跡分布密度統(tǒng)計分析方法，建立了硅片內(nèi)材料去除非均勻性預(yù)測模型，并進(jìn)行了實驗驗證。該模型不僅可對硅片表面材料去除非均勻性進(jìn)行預(yù)測，也為設(shè)計CMP機床時選擇合理的運動形式和運動參數(shù)以及進(jìn)一步理解CMP的材料去除機理提供了理論依據(jù)。通過將硅片表面摩擦力分布非均勻性、硅片與拋光墊之間相對速度分布非均勻性和接觸壓力分布非均勻性以及磨粒在硅片表面運動軌跡分布非均勻性的計算結(jié)果與硅片內(nèi)材料去除非均勻性的實驗結(jié)果進(jìn)行比較，