VB-GaAs單晶片拋光技術(shù)研究.pdf

1、砷化鎵屬Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體，具有高速、高頻、耐高溫、低噪聲和發(fā)光等特點(diǎn)。是繼鍺、硅之后最主要的半導(dǎo)體材料之一。它具有遷移率高(0.8m2/V·S)，禁帶寬度大(1.43eV)，抗輻射等特點(diǎn)。砷化鎵單晶可分為兩種類(lèi)型：半絕緣型(SI)和半導(dǎo)型(SC)。非摻半絕緣砷化鎵材料主要采用液封直拉法制備，主要用于制造超高速數(shù)字集成電路、微波毫米波器件等電子元件。而半導(dǎo)型砷化鎵材料主要用于光電器件的襯底，常用的方法有水平布里奇曼法(HB)、垂直布里奇曼法

2、(VB)以及垂直溫度梯度凝固法(VGF)。
　　 而采用VB法進(jìn)行單晶生長(zhǎng)，屬于中國(guó)電子科技集團(tuán)第四十六研究所的專(zhuān)有項(xiàng)目。對(duì)于VB-GaAs單晶的加工，國(guó)內(nèi)尚無(wú)先例。采用VB法生長(zhǎng)砷化鎵單晶，并進(jìn)行晶體加工，生產(chǎn)光電器件用砷化鎵單晶拋光片，并逐步形成具有一定生產(chǎn)規(guī)模的生產(chǎn)線(xiàn)，是中電46所的一個(gè)主要發(fā)展目標(biāo)。
　　 本研究由VB砷化鎵晶體加工開(kāi)始，通過(guò)對(duì)砷化鎵的滾圓、切割、倒角、研磨、化學(xué)腐蝕、拋光以及清洗技術(shù)進(jìn)行研究，實(shí)