晶體管基礎(chǔ)

1、晶體管基礎(chǔ)晶體管基礎(chǔ)雙極結(jié)型三極管相當(dāng)于兩個背靠背的二極管PN結(jié)。正向偏置的EB結(jié)有空穴從發(fā)射極注入基區(qū)，其中大部分空穴能夠到達(dá)集電結(jié)的邊界，并在反向偏置的CB結(jié)勢壘電場的作用下到達(dá)集電區(qū)，形成集電極電流IC。在共發(fā)射極晶體管電路中發(fā)射結(jié)在基極電路中正向偏置其電壓降很小。絕大部分的集電極和發(fā)射極之間的外加偏壓都加在反向偏置的集電結(jié)上。由于VBE很小，所以基極電流約為IB=5V50kΩ=0.1mA。如果晶體管的共發(fā)射極電流放大系數(shù)β=IC

2、IB=100集電極電流IC=βIB=10mA。在500Ω的集電極負(fù)載電阻上有電壓降VRC=10mA500Ω=5V，而晶體管集電極和發(fā)射極之間的壓降為VCE=5V，如果在基極偏置電路中疊加一個交變的小電流ib，在集電極電路中將出現(xiàn)一個相應(yīng)的交變電流ic，有cib=β，實現(xiàn)了雙極晶體管的電流放大作用。金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)三極管的基本工作原理是靠半導(dǎo)體表面的電場效應(yīng)，在半導(dǎo)體中感生出導(dǎo)電溝道來進(jìn)行工作的。當(dāng)柵G電壓VG增大時，p型半導(dǎo)體表面

3、的多數(shù)載流子棗空穴逐漸減少、耗盡，而電子逐漸積累到反型。當(dāng)表面達(dá)到反型時，電子積累層將在n源區(qū)S和n漏區(qū)D之間形成導(dǎo)電溝道。當(dāng)VDS≠0時，源漏電極之間有較大的電流IDS流過。使半導(dǎo)體表面達(dá)到強(qiáng)反型時所需加的柵源電壓稱為閾值電壓VT。當(dāng)VGSVT并取不同數(shù)值時，反型層的導(dǎo)電能力將改變，在相同的VDS下也將產(chǎn)生不同的IDS實現(xiàn)柵源電壓VGS對源漏電流IDS的控制。晶體管的命名方法晶體管的命名方法晶體管：最常用的有三極管和二極管兩種。三極管

4、以符號BG（舊）或（T）表示，二極管以D表示。按制作材料分，晶體管可分為鍺管和硅管兩種。按極性分，三極管有PNP和NPN兩種，而二極管有P型和N型之分。多數(shù)國產(chǎn)管用xxx表示，其中每一位都有特定含義：如3AX31，第一位3代表三極管，2代表二極管。第二位代表材料和極性。A代表PNP型鍺材料；B代表NPN型鍺材料；C為PNP型硅材料；D為NPN型硅材料。第三位表示用途，其中X代表低頻小功率管；D代表低頻大功率管；G代表高頻小功率管；A代表