材料分析測(cè)試技術(shù)期末考試重點(diǎn)知識(shí)點(diǎn)歸納

1、1材料分析測(cè)試技術(shù)復(fù)習(xí)參考資料（注：所有的標(biāo)題都是按老師所給的“重點(diǎn)”的標(biāo)題，材料分析測(cè)試技術(shù)復(fù)習(xí)參考資料（注：所有的標(biāo)題都是按老師所給的“重點(diǎn)”的標(biāo)題，）第一章第一章x射線(xiàn)的性質(zhì)射線(xiàn)的性質(zhì)1.X射線(xiàn)的本質(zhì)射線(xiàn)的本質(zhì)：X射線(xiàn)屬電磁波或電磁輻射，同時(shí)具有波動(dòng)性和粒子性特征，波長(zhǎng)較為可見(jiàn)光短，約與晶體的晶格常數(shù)為同一數(shù)量級(jí)，在108cm左右。其波動(dòng)性表現(xiàn)為以一定的頻率和波長(zhǎng)在空間傳播；粒子性表現(xiàn)為由大量的不連續(xù)的粒子流構(gòu)成。2，X射線(xiàn)的產(chǎn)生

2、條件射線(xiàn)的產(chǎn)生條件：a產(chǎn)生自由電子；b使電子做定向高速運(yùn)動(dòng)；c在電子運(yùn)動(dòng)的路徑上設(shè)置使其突然減速的障礙物。3，對(duì)X射線(xiàn)管施加不同的電壓，再用適當(dāng)?shù)姆椒ㄈy(cè)量由X射線(xiàn)管發(fā)出的X射線(xiàn)的波長(zhǎng)和強(qiáng)度，便會(huì)得到X射線(xiàn)強(qiáng)度與波長(zhǎng)的關(guān)系曲線(xiàn)，稱(chēng)為X射線(xiàn)譜射線(xiàn)譜。在管電壓很低，小于某一值（Mo陽(yáng)極X射線(xiàn)管小于20KV）時(shí)，曲線(xiàn)變化時(shí)連續(xù)變化的，稱(chēng)為連續(xù)譜連續(xù)譜。在各種管壓下的連續(xù)譜都存在一個(gè)最短的波長(zhǎng)值λo，稱(chēng)為短波限短波限，在高速電子打到陽(yáng)極靶上時(shí)，

3、某些電子在一次碰撞中將全部能量一次性轉(zhuǎn)化為一個(gè)光量子，這個(gè)光量子便具有最高的能量和最短的波長(zhǎng)，這波長(zhǎng)即為λo。λo=1.24V。4，特征特征X射線(xiàn)譜射線(xiàn)譜：概念概念：在連續(xù)X射線(xiàn)譜上，當(dāng)電壓繼續(xù)升高，大于某個(gè)臨界值時(shí)，突然在連續(xù)譜的某個(gè)波長(zhǎng)處出現(xiàn)強(qiáng)度峰，峰窄而尖銳，改變管電流、管電壓，這些譜線(xiàn)只改變強(qiáng)度而峰的位置所對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)不變，即波長(zhǎng)只與靶的原子序數(shù)有關(guān)，與電壓無(wú)關(guān)。因這種強(qiáng)度峰的波長(zhǎng)反映了物質(zhì)的原子序數(shù)特征、所以叫特征x射線(xiàn)，由特征

4、X射線(xiàn)構(gòu)成的x射線(xiàn)譜叫特征x射線(xiàn)譜，而產(chǎn)生特征X射線(xiàn)的最低電壓叫激發(fā)電壓。產(chǎn)生產(chǎn)生：當(dāng)外來(lái)的高速度粒子(電子或光子)的動(dòng)aE足夠大時(shí)，可以將殼層中某個(gè)電子擊出去，或擊到原于系統(tǒng)之外，或使這個(gè)電子填到未滿(mǎn)的高能級(jí)上。于是在原來(lái)位置出現(xiàn)空位，原子的系統(tǒng)能量因此而升高，處于激發(fā)態(tài)。這種激發(fā)態(tài)是不穩(wěn)定的，勢(shì)必自發(fā)地向低能態(tài)轉(zhuǎn)化，使原子系統(tǒng)能量重新降低而趨于穩(wěn)定。這一轉(zhuǎn)化是由較高能級(jí)上的電子向低能級(jí)上的空位躍遷的方式完成的，電子由高能級(jí)向低能級(jí)躍

5、遷的過(guò)程中，有能量降低，降低的能量以光量子的形式釋放出來(lái)形成光子能量，對(duì)于原子序數(shù)為Z的確定的物質(zhì)來(lái)說(shuō)，各原子能級(jí)的能量是固有的，所以光子能量是固有的，λ也是固有的。即特征X射線(xiàn)波長(zhǎng)為一固定值。能量：若為K層向L層躍遷，則能量為：各個(gè)系的概念各個(gè)系的概念：原于處于激發(fā)態(tài)后，外層電子使?fàn)幭嘞騼?nèi)層躍遷，同時(shí)輻射出特征x射線(xiàn)。我們定義把K層電子被擊出的過(guò)程叫K系激發(fā)，隨之的電子躍遷所引起的輻射叫K系輻射，同理，把L層電子被擊出的過(guò)程叫L系激發(fā)

6、，隨之的電子躍遷所引起的輻射叫L系輻射，依次類(lèi)推。我們?cè)侔措娮榆S遷時(shí)所跨越的能級(jí)數(shù)目的不同把同一輻射線(xiàn)系分成幾類(lèi)，對(duì)跨越I，2，3個(gè)能級(jí)所引起的輻射分別標(biāo)以α、β、γ等符號(hào)。電子由L—K，M—K躍遷(分別跨越1、2個(gè)能級(jí))所引起的K系輻射定義為Kα，Kβ譜線(xiàn)；同理，由M—L，N—L電子躍遷將輻射出L系的Lα，Lβ譜線(xiàn)，以此類(lèi)推還有M線(xiàn)系等。莫賽萊定律莫賽萊定律：特征X射線(xiàn)譜的頻率或波長(zhǎng)只取決于陽(yáng)極靶物質(zhì)的原子能級(jí)結(jié)構(gòu)，而與其它外界因素?zé)o

7、關(guān)。31強(qiáng)度的概念：x射線(xiàn)衍射強(qiáng)度，在衍射儀上反映的是衍射峰的高低(或積分強(qiáng)度——衍射峰輪廓所包圍的面積)，在照相底片上則反映為黑度。嚴(yán)格地說(shuō)就是單位時(shí)間內(nèi)通過(guò)與衍射方向相垂直的單位面積上的X射線(xiàn)光量子數(shù)目，但它的絕對(duì)值的測(cè)量既困難又無(wú)實(shí)際意義，所以，衍射強(qiáng)度往往用同一衍射團(tuán)中各衍射線(xiàn)強(qiáng)度(積分強(qiáng)度或峰高)的相對(duì)比值即相對(duì)強(qiáng)度來(lái)表示。2，結(jié)構(gòu)因子：因原子在晶體中位置不同或原子種類(lèi)不同而引起的某些方向上的衍射線(xiàn)消失的現(xiàn)象稱(chēng)之為“系統(tǒng)消光”

8、。根據(jù)系統(tǒng)消光的結(jié)果以及通過(guò)測(cè)定衍射線(xiàn)的強(qiáng)度的變化就可以推斷出原子在晶體中的位置；定量表征原于排布以及原子種類(lèi)對(duì)衍射強(qiáng)度影響規(guī)律的參數(shù)稱(chēng)為結(jié)構(gòu)因子。（1）電子散射：A相干散射：x射線(xiàn)在電子上產(chǎn)生的波長(zhǎng)不變的具有干涉性質(zhì)的散射，入射線(xiàn)和散射線(xiàn)的位相差是恒定的，稱(chēng)之為相干散射或叫彈性散射。B一個(gè)電子將x射線(xiàn)散射后，在距電子為R處的強(qiáng)度表示為：C電子散射特點(diǎn)：(1)散射線(xiàn)強(qiáng)度很弱，約為入射強(qiáng)度的幾十分之一；(2)散射線(xiàn)強(qiáng)度與到觀測(cè)點(diǎn)距離的平方