分立元件手冊

1、附錄附錄A：國內(nèi)外半導(dǎo)體器件命名方法：國內(nèi)外半導(dǎo)體器件命名方法1.中國半導(dǎo)體器件命名法按照國家標(biāo)準(zhǔn)GB24974規(guī)定的命名方法如表A1。表A1國產(chǎn)晶體管型號組成部分的符號及其意義第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用數(shù)字表示器件的電極數(shù)目用漢語拼音字母表示器件材料與極性用漢語拼音字母表示器件類型符號意義符號意義符號意義用數(shù)字表示器件序號用字母表示器件規(guī)格號2二極管ABCDN型：鍺材料P型：鍺材料N型：硅材料P型：硅材料3三極管ABC

2、DEPNP型：鍺材料NPN型：鍺材料PNP型：硅材料NPN型：硅材料化合物材料PVWCZLSNUKXGDATYBJCSBTFHPINJG普通管微波管穩(wěn)壓管參量管整流管整流堆隧道管阻尼管光電管開頭管低頻小功率管（fa3MHzPc1W）高頻小功率管（fc3MHzPc1W)低頻大功率管（fD3MHzPc≥1W）高頻大功率管(fa≥3MHzPc≥1W)半導(dǎo)體閘流管體效應(yīng)管雪崩管階躍恢復(fù)管場效應(yīng)管特殊器件復(fù)合管PIN型管激光器件示例1：鍺PNP型

3、高頻小功率三極管3AG11C三極管規(guī)格號序號PNP型，鍺材料高頻小功率2.日本半導(dǎo)體器件命名法日本晶體管型號均按日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)JIS—C—7012規(guī)定的日本半導(dǎo)體分立器件型號命名方法命名。日本半導(dǎo)體分立器件型號由五個基本部分組成，這五個基本部分的符號及其意義如表A2所示。日本半導(dǎo)體分立器件的型號，除上述5個基本部分外，有時還附加有后綴字母及符號，以便進(jìn)一步說明該器件的特點。這些字母、符號和它們所代表的意義，往往是各公司自己規(guī)定的。后綴的第

4、一個字母，一般是說明器件特定用途的。常見的有以下幾種：M：表示該器件符合日本防衛(wèi)廳海上自衛(wèi)參謀部的有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。料如銻化鋁H磁敏二極管X倍增二極管K開放磁路中的霍爾元件Y整流二極管R器件使用復(fù)合材料。如堆霍爾元件和光電電池L高頻大功率三極管Rtj﹤15℃WZ穩(wěn)壓二極管位數(shù)字使用一個登記號）4.美國晶體管型號命名法美國許多電子公司分別研制與生產(chǎn)了各種和樣的半導(dǎo)體分立器件，并將其生產(chǎn)專利輸往各國。這些半導(dǎo)體器件的型號原來都是由廠家自己命名的，所

5、以十分混亂。為了解決美國半導(dǎo)體分立器件型號統(tǒng)一的問題，美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）的電子元件聯(lián)合技術(shù)委員會（JEDEC）制定了一個標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體分立器件型號命名法，推薦給半導(dǎo)體器件生產(chǎn)廠家使用。由于種種原因，雖有大量半導(dǎo)體器件按此命名法命名，但未能完全統(tǒng)一各廠家產(chǎn)品的型號，所以美國半導(dǎo)體器件型號有以下兩點不足之處：①有不少美國半導(dǎo)體分立器件型號仍是按各廠家自己的型號命名法命名，而未按此標(biāo)準(zhǔn)命名，故仍較混亂。②由于這一型號命名法制定較早，又未作

6、過改進(jìn)，所以型號內(nèi)容很不完備。美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）的半導(dǎo)體分立器件型號命名方法規(guī)定，半導(dǎo)體分立器件型號由五部分組成，第一部分為前綴，第五部分為后綴，中間三部分為型號的基本部分。這五部分的符號及意義如表A4所列：表A4美國晶體管型號組成部分的符號及其意義第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用符號表示器件類型用數(shù)字表示PN結(jié)數(shù)目美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）注冊標(biāo)志美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）登記號用字母表示器件分檔符號意義符號意義符號