功率IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì).pdf

1、因?yàn)镮GBT兼具M(jìn)OSFET壓控門級(jí)驅(qū)動(dòng)特性和雙極型晶體管的大電流、低導(dǎo)通壓降特性而被廣泛應(yīng)用于中高功率、中低頻率變流器中。為了提供低壓控制信號(hào)端和功率端的電氣隔離以及保證IGBT工作過程中所需的電流、電壓，低成本、高可靠性的門級(jí)驅(qū)動(dòng)電路就十分重要?；谂c公司合作的智能功率模塊項(xiàng)目，本文設(shè)計(jì)了一種基于華潤上華高壓BCD工藝的雙通道半橋驅(qū)動(dòng)芯片，該芯片可靠性高、電流輸出能力強(qiáng)、工作頻率高。根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求以及IGBT安全工作對(duì)驅(qū)動(dòng)電路參數(shù)

2、的要求，本文設(shè)計(jì)的驅(qū)動(dòng)芯片參數(shù)指標(biāo)為：輸入接口兼容3.3V/5V CMOS/TTL信號(hào)；輸出驅(qū)動(dòng)電壓幅值為15V；輸出驅(qū)動(dòng)電流為±1A；正常工作電壓范圍為13.5~16.5V；工作溫度為-40~125℃；最高工作頻率為100kHz；芯片采用15V單電源供電；高低通道信號(hào)傳輸時(shí)間差小于50ns。同時(shí)芯片內(nèi)部集成了高低通道電源欠壓保護(hù)電路、短路保護(hù)電路、過溫保護(hù)電路以及錯(cuò)誤邏輯控制電路，這些保護(hù)電路可有效保證電路在使用中的安全。