硅片檢測運動平臺真空吸附系統(tǒng)設(shè)計與分析.pdf

1、硅片表面顆粒污染檢測裝備對集成電路生產(chǎn)效率和質(zhì)量的提高起著重大作用。隨著硅片的徑向尺寸的增加，其剛度特性越來越差，極易發(fā)生變形和破損。本文依托國家重大科研專項，對硅片檢測運動平臺的真空吸附系統(tǒng)進行了相應(yīng)的設(shè)計與分析，旨在提高硅片的拾取效率的同時保證硅片快速吸附過程的穩(wěn)定性。
　　本文根據(jù)硅片檢測的實際需求，采用 Z軸升降機構(gòu)直接驅(qū)動真空吸盤并吸附硅片的拾取方案。針對升降機構(gòu)和真空吸盤等關(guān)鍵組件進行了設(shè)計與分析。在此基礎(chǔ)上研究了硅片

2、吸附過程的動作行為，基于流固耦合理論與動網(wǎng)格原理，建立了硅片吸附過程的動力學(xué)模型并分析了硅片吸附過程的動態(tài)特性。通過仿真結(jié)果觀測真空吸盤快速接近硅片時，硅片會被壓縮氣體產(chǎn)生的排斥力“吹起”，導(dǎo)致吸附過程的不穩(wěn)定。針對該問題，提出一種調(diào)整真空度以抑制該現(xiàn)象的方法，并通過仿真初步驗證了此方法的可行性，對真空度與真空吸盤垂向運動速度進行了初步匹配。
　　最后，對硅片的動態(tài)吸附效果進行了實驗測試。實驗結(jié)果表明，動網(wǎng)格建模方法能夠正確地反映