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1、近年來(lái),因在稀釋磁性半導(dǎo)體中表現(xiàn)出獨(dú)特的磁有序現(xiàn)象而備受人們關(guān)注。主要是一方面因?yàn)樗鼘?duì)所表現(xiàn)出的獨(dú)特磁性的理解涉及到很多的基礎(chǔ)性物理問題,另一方面這些獨(dú)特的磁性蘊(yùn)涵巨大的潛在應(yīng)用前景。本文采用化學(xué)共沉淀法制備過(guò)渡金屬Co<'2+>離子摻雜的ZnO和ZnS基稀磁半導(dǎo)體(DMS)粉末。在合成的基礎(chǔ)上,結(jié)合樣品的結(jié)構(gòu)分析和磁性行為,對(duì)樣品磁性的起因進(jìn)行了初步的探討。具體內(nèi)容如下: 概述了稀磁半導(dǎo)體的研究進(jìn)展,重點(diǎn)介紹了ZnO基和ZnS
2、基稀磁半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)、磁有關(guān)的效應(yīng)以及稀磁半導(dǎo)體中磁性起因。迄今,文獻(xiàn)上很多的研究集中在過(guò)渡磁性金屬摻雜的稀磁半導(dǎo)體薄膜材料方面,對(duì)其粉末研究涉及很少。本文以探索一種重復(fù)性好的合成高居里溫度的稀磁半導(dǎo)體粉體方法作為主要研究?jī)?nèi)容。 首先對(duì)獲得具有室溫鐵磁性的Co摻雜ZnO的粉末樣品的合成進(jìn)行了探索。研究結(jié)果表明,溶液的陳化時(shí)間和共沉淀時(shí)的pH值是關(guān)鍵的控制因素,并以此提出了反應(yīng)的機(jī)理。本文發(fā)現(xiàn)Zn<,l-x>Co<,x>O系列樣
3、品,在摻雜濃度較低時(shí),室溫下具有鐵磁性,而摻雜濃度較高時(shí),樣品卻表現(xiàn)出順磁性。 本文在Co摻雜ZnO研究的基礎(chǔ)上,進(jìn)而對(duì)Co摻雜ZnS的粉末樣品的合成進(jìn)行了探討,并對(duì)制備的樣品進(jìn)行了結(jié)構(gòu)分析和磁性測(cè)試的實(shí)驗(yàn)研究。結(jié)果表明,Zn<,l-x>Co<,x>S樣品也只有在低摻雜濃度情況下才能實(shí)現(xiàn)室溫鐵磁性。相對(duì)于Zn<,l-x>Co<,x>O粉末樣品,在相同摻雜濃度和相同溫度的情況下,Zn<,l-x>Co<,x>S的飽和磁化強(qiáng)度要大。
4、 借助XRD分析研究了所制備的Co摻雜ZnO和Co摻雜ZnS兩類樣品的晶體結(jié)構(gòu)。結(jié)果表明,合成出的Co摻雜ZnO具有纖鋅礦型的晶體結(jié)構(gòu);Co摻雜ZnS樣品具有閃鋅礦和纖鋅礦按1:1比例復(fù)合的混晶結(jié)構(gòu);在低摻雜濃度范圍內(nèi),Co離子摻雜并沒有引起ZnO和ZnS基體晶體結(jié)構(gòu)的改變,且在儀器靈敏度范圍內(nèi)沒有檢測(cè)到第二相的存在。因此,我們認(rèn)為觀察到的鐵磁性是稀磁半導(dǎo)體材料本征性質(zhì)的體現(xiàn),而不是源于第二相的出現(xiàn)或引入而引起的。 對(duì)稀磁
5、半導(dǎo)體中的磁性起因有各種各樣的解釋,目前尚未達(dá)成共識(shí)。本文采用DMS中磁性離子間的近程超交換作用來(lái)解釋所合成樣品的磁行為,認(rèn)為如果從稀磁半導(dǎo)體Zn<,1-x>CO<,x>O和Zn<,1-x>CO<,x>S的磁性起因來(lái)分析,增加巡游d電子的數(shù)量有利于鐵磁耦合,因此需要很高的電子摻雜濃度,但是這種鐵磁耦合是一種近程相互作用,必須在相鄰Co<'2+>離子的間距很短時(shí)才能起作用,因此需要增加CO<'2+>離子的摻雜量使CO<'2+>-CO<'2
6、+>之間的距離減小,但在一個(gè)合成過(guò)程中同時(shí)滿足上述兩個(gè)要求是很困難的,因此,鐵磁樣品的重復(fù)率普遍較低可能是由于以上兩個(gè)條件相互競(jìng)爭(zhēng)的結(jié)果。迄今為止,文獻(xiàn)上報(bào)道的研究?jī)?nèi)容相對(duì)集中在過(guò)渡磁性金屬摻雜的稀磁半導(dǎo)體薄膜材料方面,得到的薄膜樣品不僅居里溫度低,而且呈現(xiàn)鐵磁性的重復(fù)率不高。與之相比,我們摸索出加入絡(luò)合劑的化學(xué)共沉淀法制備稀磁半導(dǎo)體粉末材料,并用此方法成功地獲得具有室溫鐵磁性的Zn<,1-x>CO<,x>O和Zn<,1-x>Co<,x
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