鐵磁體∕有機半導體∕鐵磁體雙隧道結的隧穿磁電阻.pdf

1、隨著科學技術的飛速發(fā)展，特別是上世紀70年代以來電子半導體器件的發(fā)展，人們對電子器件的需求越來越廣泛。而鐵磁體∕有機半導體材料成了電子器件研發(fā)的主要課題。鐵磁體∕有機半導體具有易合成，存儲量大等特點被廣泛應用于實驗及研究。
　　本文通過理論模型分析與計算，采用Slonczwski的自由電子模型理論，利用量子隧穿方法來研究鐵磁體（FM）∕有機半導體（OSE）∕鐵磁體（FM）雙隧道結磁電阻(TMR)。在雙隧道結磁電阻中，有機半導體（O

2、S E）看成方勢壘，通過Rashba自旋-軌道耦合效應、轉移矩陣法求出透射系數(shù)和隧穿磁電阻。
　　當自旋-軌道耦合強度為2.0，磁化偏角為0時，隧穿磁電阻取得較小值，磁化偏角為л/2時，隧穿磁電阻取得最大值，磁化偏角為л時，隧穿磁電阻取得最小值。當磁化偏轉角為л/6，耦合強度為0時，隧穿磁電阻取得較大值，耦合強度為1.0時，隧穿磁電阻取得最小值，耦合強度為2.0時，隧穿磁電阻取得最大值；當磁化偏轉角度為л/4，耦合強度為0時，隧穿

3、磁電阻取得最小值，耦合強度為2.0時，隧穿磁電阻取得最大值；當磁化偏角為2л/3，耦合強度為0時，隧穿磁電阻取得最大值，耦合強度為2.0時，隧穿磁電阻取得最小值。
　　在內部電場作用下，當耦合強度為2.0，磁化偏角為0時，隧穿磁電阻隨著自旋極化率增大呈現(xiàn)線性增加；磁化偏角為л時，隧穿磁電阻隨著自旋極化率增大呈現(xiàn)線性減小。
　　在外部電場作用下，當耦合強度為1.5，外加偏壓為0.2V,磁化偏角為0時，隧穿磁電阻取得較小值，磁化

4、偏角為л/2時，隧穿磁電阻取得最大值，磁化偏角為л時，隧穿磁電阻取得最小值。當耦合強度為3.0，磁化偏角為л/4，外加偏壓為0時，隧穿磁電阻取得最小值，外加偏壓為0.8V時，隧穿磁電阻取得最大值；當耦合強度為3.0，磁化偏角為л/2，外加偏壓為0時，隧穿磁電阻取得最大值，外加偏壓為0.8V時，隧穿磁電阻取得最小值；當耦合強度為3.0，磁化偏角為3л/4,外加偏壓為0時，隧穿磁電阻取得最小值，外加偏壓為0.8V時，隧穿磁電阻取得最大值。<