四腳狀氧化鋅晶須制備及其應用研究.pdf

1、四腳狀氧化鋅晶須(T-ZnOw)是一種具有規(guī)整三維空間結構的多功能無機晶體材料。但由于價格瓶頸，目前尚未得到廣泛的應用。本課題針對T-ZnOw的研究現(xiàn)狀和廣闊的應用前景，結合X射線衍射儀(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線能譜儀(EDS)、透射電子顯微鏡(TEM)和高分辨透射電鏡(HRTEM)等現(xiàn)代先進表征手段，對T-ZnOw形貌和制備條件的相互關系進行了系統(tǒng)的實驗研究，探討了T-ZnOw的生長機理和生長過程，并全面研究了T-Z

2、nOw的光致發(fā)光性能、光催化氧化降解性能以及T-ZnOw/聚丙烯(PP)復合材料的力學性能和電學性能，取得了一系列研究成果： (1)鑒于目前微米級氧化鋅晶須的制備方法大多采用純度高的鋅粉、鋅?；蜾\塊等鋅一次資源為原料，導致T-ZnOw生產成本較高的現(xiàn)狀，我們嘗試以更廉價的鋅浮渣為原料，采用平衡氣量法研究了T-ZnOw的制備。考察了外部反應環(huán)境、不同金屬鋅品位和雜質含量的鋅浮渣對產品純度和形貌的影響規(guī)律，確定了用鋅浮渣制備微米級氧

3、化鋅晶須的最佳工藝條件，為鋅浮渣以及熱鍍浮渣、含鋅煙塵等鋅二次資源的回收利用找到了一條附加值更高的新途徑。 (2)本研究巧妙地利用了“真空度”與氧量的關系，首次提出和采用“真空控氧高溫氣相法”這一制備納米四腳狀氧化鋅晶須的新方法，以高純鋅粒為原料，進行了T-ZnOw的制備研究。考察了催化劑(分子篩)、反應溫度和體系壓力等生長條件對產品生長形貌的影響，成功制備了形貌規(guī)整、尺寸可控的納米T-ZnOw，并確定了真空控氧高溫氣相法制備納

4、米T-ZnOw的最佳工藝。該法與已有的生產T-ZnOw的“鋅粉預氧化法”、“反應器預熱法”相比，具有工藝流程短、操作簡單、消耗小等特點，且產品為納米T-ZnOw具有更為廣闊的應用潛力；相對現(xiàn)有的靜態(tài)法，制備的納米氧化鋅晶須具有形貌規(guī)整、長徑比大、易實現(xiàn)工業(yè)化生產的優(yōu)點。因此“真空控氧高溫氣相法”更具工業(yè)化應用前景。 (3)分析探討了T-ZnOw的生長機理和生長過程。研究表明，T-ZnOw的結晶生長遵循氣-固生長機理(VS)。選區(qū)

5、衍射和高分辨電鏡結果表明，納米四腳狀氧化鋅晶須的中心部位存在多重孿晶結構，而針體為單晶，沿著〈001〉方向取向生長。針體生長模型有完整光滑面、非完整光滑面等生長界面結構模型。其生長過程基本符合Iwanaga提出的八面體多重孿晶核模型。 (4)深入研究了T-ZnOw的光致發(fā)光性能。結果表明，室溫下納米T-ZnOw的光致發(fā)光表現(xiàn)為近帶邊紫外發(fā)光和可見光區(qū)的藍、綠光發(fā)射峰。其中，紫外發(fā)光峰為激子發(fā)光峰；寬化的藍光和綠光峰為晶體缺陷造成

6、，分別由VoZni締合缺陷和鋅填隙缺陷引起。納米T-ZnOw的紫外-可見吸收(消光)光譜上存在一尖銳吸收峰，表明我們所制備的納米T-ZnOw具有較高的結晶質量。 (5)首次以納米T-ZnOw為光催化劑，研究了納米T-ZnOw對難降解的有機染料甲基橙的光催化氧化降解反應動力學，討論了光催化機理，考察了催化劑用量、粒徑和激發(fā)光源等因素對納米T-ZnOw的光催化氧化降解性能的影響。結果表明，納米T-ZnOw對甲基橙的光催化氧化降解反應

7、遵循一級動力學規(guī)律；催化劑納米T-ZnOw的最佳用量為2g/L，且催化劑粒徑越小，降解效果越好。與具有相同粒徑的納米ZnO和TiO2的對比實驗表明，納米T-ZnOw具有高效和穩(wěn)定性好的特點，是一種更好的光催化劑，極具應用開發(fā)潛力。 (6)通過熱壓成型工藝制備了T-ZnOw/PP復合材料，并深入研究了T-ZnOw的表面改性對復合材料的電學性能和力學性能的影響。結果表明，T-ZnOw能有效提高PP樹脂的導電性能。當T-ZnOw體積含

8、量僅為3％時，復合材料電阻率就已經降低到109Ω·cm以下，比其他球狀導電填料粒子或者導電纖維用量少得多。在一定填充量范圍內，T-ZnOw/PP復合材料的介電常數(shù)隨著晶須含量的增大而增大；對T-ZnOw進行表面改性處理有利于降低復合材料的介電損耗；偶聯(lián)劑的分子結構也影響復合材料的介電性能。不同偶聯(lián)劑改性的晶須對T-ZnOw/PP復合材料的力學性能影響不同。用A151改性時，兩相界面結合力最強，復合材料的拉伸強度和模量最大，而用鈦酸酯偶聯(lián)