水熱法生長KTP晶體及宏觀缺陷的研究.pdf

1、采用水熱法合成技術生長KTP晶體。在2.0MK2HPO4+0.1MKH2PO4+1.0wt.％H2O2的礦化劑溶液中生長出了相當高品質(zhì)的KTP晶體，其中最大體積的KTP晶體達到26×83×25mm3，體重為132g。 添晶、裂隙、包裹體是KTP晶體中較為常見的宏觀缺陷，它們的存在嚴重影響KTP晶體各項性能，晶體在應用中受到很大的限制。為了生長高晶質(zhì)的KTP晶體，本文從KTP晶體的內(nèi)部宏觀缺陷角度進行詳細研究，分析影響晶體品質(zhì)的內(nèi)

2、部缺陷產(chǎn)生的原因，以至生長出高質(zhì)量的KTP晶體。 本文利用放大顯微鏡等儀器，對KTP晶體的內(nèi)部宏觀缺陷進行了詳細的觀察、研究與分析。同時，本文分析并探討了產(chǎn)生晶體宏觀缺陷的原因，進而對晶體的生長工藝的改進提出了可行性建議。 研究發(fā)現(xiàn)KTP晶體中，背向溶液流動方向的晶面、黃金絲所在的晶面、籽晶附近的新生長區(qū)域等是添晶、裂隙、包裹體宏觀缺陷的主要部位。 產(chǎn)生添晶的主要因素有：籽晶缺陷的延伸；在背向溶液流動方向的晶面，

3、雜質(zhì)及自發(fā)形成的微品粒落在晶面兩形成；溫度的波動。 裂隙形成的主要原因是：晶體沿著(011)解理面發(fā)生開裂；籽晶開裂的延伸；由于溫度壓力的波動t使晶體沿著黃金絲周邊的開裂、沿著包裹物集中部位的開裂以及發(fā)生的炸裂。 包裹體出現(xiàn)的主要原因有；高壓釜內(nèi)溫度、壓力的波動；雜質(zhì)的進入等；在晶體生長初期，籽晶熔蝕不理想而進入包裹物；由于溫度的變化和原材料的流動，引起晶體生長的波動，促使了包裹體的形成。 通過以上研究，筆者對水