半導(dǎo)體硅、鍺是制造集成電路IC芯片和半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)材料，隨著IC工藝的不斷發(fā)展，單晶片的尺寸越做越大。目前，IC技術(shù)已邁入納米電子時(shí)代，對(duì)半導(dǎo)體硅、鍺單晶片的加工質(zhì)量的要求越來(lái)越高。切割加工是晶片加工過(guò)程中的重要環(huán)節(jié)，切割過(guò)程造成的表面損傷，直接決定...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 始于喜歡 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-10 / 5人氣
中鴻鋼鐵股份有限公司第151頁(yè)87年9月1日制定編碼CHSAA30596年10月26日修訂內(nèi)控自行評(píng)估作業(yè)辦法內(nèi)控自行評(píng)估作業(yè)辦法96年10月26日實(shí)施目的依據(jù)制定、修訂管理者評(píng)估流程評(píng)估內(nèi)容評(píng)估單位分項(xiàng)評(píng)估工作底稿整體評(píng)估1總則11為使本公司之內(nèi)控自行評(píng)估作業(yè)能有所遵循。12...
下載價(jià)格：6 賞幣 / 發(fā)布人： 畢業(yè)設(shè)計(jì) / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-12 / 6人氣
無(wú)源器件尤其是電感是射頻集成電路中至關(guān)重要的器件。先進(jìn)的射頻CMOS工藝已經(jīng)能在片集成無(wú)源器件。在片無(wú)源器件能有效減小封裝寄生參數(shù)，提高電路穩(wěn)定性和性能，因此其應(yīng)用已經(jīng)成為一種趨勢(shì)。但是在片無(wú)源器件仍然面臨著嚴(yán)重的挑戰(zhàn)，一方面射頻電路對(duì)在片無(wú)源器件的...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 聲聲楚歌殘 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-10 / 4人氣
硅外延片材料是當(dāng)代大規(guī)模集成電路和其他半導(dǎo)體硅器件的基礎(chǔ)功能材料，直接支撐了電子信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。其中，薄層硅外延在半導(dǎo)體器件中承載了重要的電路功能，NN硅外延片主要應(yīng)用在超大規(guī)模集成電路和分立器件中。目前8英寸集成電路在我國(guó)集成電路總產(chǎn)量中占有很...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 呻吟 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-09 / 15人氣
隨著話音業(yè)務(wù)的激增和各種數(shù)據(jù)、圖像新業(yè)務(wù)的涌現(xiàn)，特別是FTTH和IP網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的不斷發(fā)展，通信系統(tǒng)的信息容量與處理速度呈現(xiàn)爆炸性增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。而基于金屬傳導(dǎo)的電互連技術(shù)面臨嚴(yán)重的熱耗散與不可逾越的電子瓶頸，已越來(lái)越不適應(yīng)信息存儲(chǔ)、信息傳輸、信息處理的高速率高...
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U型輕鋼龍骨紙面石膏板吊頂做法一、構(gòu)造做法及材料1、構(gòu)造做法吊頂龍骨有兩種構(gòu)造，中、小龍骨緊貼大龍骨，底面吊掛（即不在同一水平面）稱雙層構(gòu)造；大、中龍骨底面在同一水平上，或不設(shè)大龍骨直接掛中龍骨稱單層構(gòu)造。後者僅用於輕型吊頂。2、材料（1）紙面石膏板...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 畢業(yè)設(shè)計(jì) / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-14 / 39人氣
浙江大學(xué)碩士學(xué)位論文利用摻鍺的重?fù)脚鸸枰r底生長(zhǎng)無(wú)失配位錯(cuò)的P/P硅外延片姓名江慧華申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別碩士專業(yè)材料物理與化學(xué)指導(dǎo)教師闕端麟楊德仁20050501碩士學(xué)位論文研究表明，鍺的摻入可以抑制硼的外擴(kuò)散，這可能是由于鍺和硼形成了GE．B對(duì)，從而阻礙硼的外擴(kuò)散。因...
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最新集成電路設(shè)計(jì)發(fā)展中出現(xiàn)了暗硅問(wèn)題，即為了維持多核系統(tǒng)性能而不超過(guò)散熱設(shè)計(jì)功耗，部分核需要處于關(guān)閉狀態(tài)或者不能持續(xù)長(zhǎng)的運(yùn)行周期，如此為多核系統(tǒng)的通信架構(gòu)片上網(wǎng)絡(luò)（WKONCHIPNOC）設(shè)計(jì)提出了新的挑戰(zhàn)。論文針對(duì)面向暗硅問(wèn)題的片上網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)和映射方法展開(kāi)研...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： Meizu / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-09 / 8人氣
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硅晶圓片生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目硅晶圓片生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目可行性研究報(bào)告可行性研究報(bào)告中咨國(guó)聯(lián)｜出品二〇二一二〇二一年九月二〇二一二〇二一年九月第2頁(yè)第四章第四章項(xiàng)目建設(shè)條件項(xiàng)目建設(shè)條件181841地理位置選擇地理位置選擇181842區(qū)域投資環(huán)境區(qū)域投資環(huán)境1818421區(qū)域概況1...
下載價(jià)格：9 賞幣 / 發(fā)布人： 兩難 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-16 / 0人氣
集成電路的發(fā)展趨勢(shì)是體積越來(lái)越小、速度越來(lái)越快、電路規(guī)模越來(lái)越大、功能越來(lái)越強(qiáng)、襯底硅片尺寸越來(lái)越大。盡管如此，150MM及以下小直徑硅片到目前為止依然大量被用于POWERDEVICE、MOSFET、小型集成電路等器件的生產(chǎn)中，短時(shí)間內(nèi)還不會(huì)退出市場(chǎng)，但是器件廠商對(duì)于...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 不感興趣 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-11 / 5人氣
隨著無(wú)線通信、衛(wèi)星導(dǎo)航、射頻識(shí)別、移動(dòng)電視等射頻微波應(yīng)用系統(tǒng)的迅猛發(fā)展，小型化、高性能、低成本和低功耗消費(fèi)類應(yīng)用電子設(shè)備的市場(chǎng)需求激發(fā)了人們對(duì)于單芯片系統(tǒng)SOCSYSTEMONACHIP的極大興趣。硅基CMOS工藝因具有低成本、低功耗及高集成度等特點(diǎn)成為實(shí)現(xiàn)SOC的首選...
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這篇論文主要分為兩個(gè)部分一是硅基集成螺旋電感的建模分析和優(yōu)化二是片上天線的設(shè)計(jì)和優(yōu)化在第一部分中我們首先比較了硅基集成螺旋電感的三種建模和仿真方法并且具體分析了硅基集成螺旋電感的各種損耗因素及它們螺旋電感性能的影響在此基礎(chǔ)上我們思考和總結(jié)了多種提...
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黑硅因其獨(dú)特的納米結(jié)構(gòu)，具有很寬的光譜吸收范圍，極低的反射率，以及一些其他優(yōu)良的特性，一經(jīng)發(fā)現(xiàn)就獲得了科學(xué)家們的廣泛關(guān)注，在硅太陽(yáng)能電池領(lǐng)域有著很大的應(yīng)用潛力。但黑硅由于表面積的增大以及制備過(guò)程中引入的缺陷，具有較高的表面復(fù)合速率和較低的少數(shù)載流...
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隨著社會(huì)的發(fā)展作為人類社會(huì)運(yùn)行和發(fā)展的基礎(chǔ)物質(zhì)條件能源在近一百多年內(nèi)的消耗有目共睹。短時(shí)期內(nèi)不可再生的傳統(tǒng)化石能源儲(chǔ)量的有限性與人類社會(huì)發(fā)展日益增長(zhǎng)的能源需求之間的矛盾日亟激化。因此為了人類社會(huì)能夠?qū)崿F(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的目標(biāo)就必須加大對(duì)可再生能源的開(kāi)發(fā)...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 深情大佬 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-09 / 6人氣
肖特基勢(shì)壘二極管是利用金屬半導(dǎo)體的整流接觸特性而制成的二極管與PN結(jié)相比它是一種多子器件具有正向?qū)妷旱褪褂妙l率高等特點(diǎn)這使得肖特基二極管在微波領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用該文的主要工作如下1首先從理論上分析出高頻肖特基二極管對(duì)材料的外延層厚度摻雜濃度的要求...
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直拉硅拋光片的表面質(zhì)量和氧沉淀對(duì)集成電路成品率的影響很大。無(wú)論在硅片生產(chǎn)還是在集成電路制造中，硅片都要經(jīng)過(guò)高溫退火。因此，高溫退火對(duì)硅片表面質(zhì)量和氧沉淀影響的研究顯得十分重要。本文研究了200MM直拉硅拋光片經(jīng)高溫退火后的表面狀態(tài)以及氧沉淀，取得了如下...
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