高溫退火對(duì)直拉硅拋光片表面質(zhì)量及氧沉淀的影響.pdf

1、直拉硅拋光片的表面質(zhì)量和氧沉淀對(duì)集成電路成品率的影響很大。無論在硅片生產(chǎn)還是在集成電路制造中，硅片都要經(jīng)過高溫退火。因此，高溫退火對(duì)硅片表面質(zhì)量和氧沉淀影響的研究顯得十分重要。
　　本文研究了200mm直拉硅拋光片經(jīng)高溫退火后的表面狀態(tài)以及氧沉淀，取得了如下主要結(jié)果:
　　1.研究了實(shí)際生產(chǎn)中200mm單面拋光硅片在消除表面空洞型缺陷的1200℃退火工藝后，表面出現(xiàn)彩霧和白霧的問題。通過清洗爐管消除金屬沾污而解決了彩霧問題;

2、通過更換拋光方式消除了肉眼可見的白霧，但由激光顆粒計(jì)數(shù)儀檢測(cè)到的表面haze（霧）較顯著且分布不均勻，且這樣的表面haze與表面微微粗糙度沒有明確的對(duì)應(yīng)關(guān)系。表面haze看起來是高溫?zé)崽幚淼摹邦B疾”，可通過表面精拋加以消除。
　　2.研究了高溫預(yù)退火對(duì)直拉硅片在后續(xù)退火工藝中氧沉淀的影響。發(fā)現(xiàn)高溫預(yù)退火能顯著促進(jìn)直拉硅片在后續(xù)低-高兩步退火工藝或高溫RTP-低-高三步退火工藝中的氧沉淀，且高溫預(yù)退火時(shí)間越長(zhǎng)，對(duì)氧沉淀的促進(jìn)越顯著。