1半導(dǎo)體及基本半導(dǎo)體物理SEMICONDUCTITSPHYSICALPRINCIPLESCRESPONDENCEWITHTHETEXTBOOKSECTION25、26、273基本原子模型E1E2E3E0能量軌道電子能階束縛電子自由電子束縛能自由電子束縛電子原子核電子軌道外加電場(chǎng)FEFEFEN1N2N3N1最內(nèi)層
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第六章,半導(dǎo)體材料,,,半導(dǎo)體材料是構(gòu)成許多有源元件的基體材料，在光通訊設(shè)備、信息的儲(chǔ)存、處理、加工及顯示方面都有重要應(yīng)用，如半導(dǎo)體激光器、二極管。半導(dǎo)體集成電路、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器和光電二極管等等。它是能源、信息、航空、航天、電子技術(shù)必不可少的一種功能材...
下載價(jià)格：6 賞幣 / 發(fā)布人： 死為你守候 / 發(fā)布時(shí)間：2024-01-05 / 3人氣
半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)和半導(dǎo)體器件工藝半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)和半導(dǎo)體器件工藝第一章半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)HJEXL6CW通常物質(zhì)根據(jù)其導(dǎo)電性能不同可分成三類(lèi)。第一類(lèi)為導(dǎo)體，它可以很好的傳導(dǎo)電流，如金屬類(lèi)，銅、銀、鋁、金等；電解液類(lèi)NACL水溶液，血液，普通水等以及其它一些物體。第二...
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一、半導(dǎo)體物理發(fā)展史簡(jiǎn)介半導(dǎo)體物理學(xué)是研究半導(dǎo)體原子狀態(tài)和電子狀態(tài)以及各種半導(dǎo)體器件內(nèi)部電子過(guò)程的學(xué)科。是固體物理學(xué)的一個(gè)分支。研究半導(dǎo)體中的原子狀態(tài)是以晶體結(jié)構(gòu)學(xué)和點(diǎn)陣動(dòng)力學(xué)為基礎(chǔ)，主要研究半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)、晶體生長(zhǎng)，以及晶體中的雜質(zhì)和各種類(lèi)型...
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電子元器件基礎(chǔ)知識(shí)（4）半導(dǎo)體器件200810130957一、中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分（場(chǎng)效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號(hào)命名只有第三、四、五部分）組成。五個(gè)部分意義如下第一部分用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目...
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半導(dǎo)體的生產(chǎn)工藝流程（時(shí)間200719共有1345人次瀏覽）信息來(lái)源電子生產(chǎn)設(shè)備網(wǎng)信息中心一、潔凈室一般的機(jī)械加工是不需要潔凈室CLEANROOM的，因?yàn)榧庸し直媛试跀?shù)十微米以上，遠(yuǎn)比日常環(huán)境的微塵顆粒為大。但進(jìn)入半導(dǎo)體組件或微細(xì)加工的世界，空間單位都是以微米計(jì)算，...
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1121半導(dǎo)體器件原理主講人仇志軍本部遺傳樓309室55664269EMAILZJQIUFUDAN2121第三章MOSFET的基本特性31MOSFET的結(jié)構(gòu)和工作原理32MOSFET的閾值電壓33MOSFET的直流特性34MOSFET的頻率特性35MOSFET的開(kāi)關(guān)特性36MOSFET的功率特性3121311MOSFET簡(jiǎn)介31MOSFET的結(jié)構(gòu)和工作原...
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考研高分咨詢胡老師XXX121_WZM電話13051415902半導(dǎo)體物理半導(dǎo)體物理科目代碼科目代碼879考試大綱考試大綱特別提醒本考試大綱僅適合特別提醒本考試大綱僅適合2018年碩士研究生入學(xué)考試。年碩士研究生入學(xué)考試。1考研建議參考書(shū)目考研建議參考書(shū)目半導(dǎo)體物理學(xué)第7版，...
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半導(dǎo)體物理復(fù)習(xí),第一章半導(dǎo)體中的電子狀態(tài),晶體結(jié)構(gòu)與共價(jià)鍵（教材P69）,金剛石型結(jié)構(gòu),閃鋅礦型結(jié)構(gòu),纖鋅礦型結(jié)構(gòu),氯化鈉型結(jié)構(gòu),,重點(diǎn)掌握,基本概念單晶、多晶、非晶（體）、晶胞、晶向、晶面,能級(jí)與能帶,電子在原子核勢(shì)場(chǎng)和其他電子作用下分列在不同能級(jí),相鄰原子殼...
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聲明部分答案來(lái)自互聯(lián)網(wǎng)，本人只負(fù)責(zé)編輯。本文系中北大學(xué)物理系半導(dǎo)體物理學(xué)基礎(chǔ)課程李惠生老師布置的課后習(xí)題。1–錯(cuò)誤很多，僅供參考第一章第一章1試定性說(shuō)明GE、SI的禁帶寬度具有負(fù)溫度系數(shù)的原因。解電子的共有化運(yùn)動(dòng)導(dǎo)致孤立原子的能級(jí)形成能帶，即允帶和禁帶...
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第一章第一章半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)1什么叫本征激發(fā)溫度越高，本征激發(fā)的載流子越多，為什么試定性說(shuō)明之。2試定性說(shuō)明GE、SI的禁帶寬度具有負(fù)溫度系數(shù)的原因。3試指出空穴的主要特征。4簡(jiǎn)述GE、SI和GAAS的能帶結(jié)構(gòu)的主要特征。5某一維晶體的電子能帶...
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半導(dǎo)體的特性1，電阻是隨著溫度的上升而降低2，半導(dǎo)體和電解質(zhì)接觸形成的結(jié)，在光照下會(huì)產(chǎn)生一個(gè)電壓，這就是后來(lái)人們熟知的光生伏特效應(yīng)3，電導(dǎo)與所加電場(chǎng)的方向有關(guān)，即它的導(dǎo)電有方向性，在它兩端加一個(gè)正向電壓，它是導(dǎo)通的；如果把電壓極性反過(guò)來(lái)，它就不導(dǎo)電，...
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1半導(dǎo)體分立器件半導(dǎo)體分立器件半導(dǎo)體器件是近50年來(lái)發(fā)展起來(lái)的新型電子器件，具有體積小、重量輕、耗電省、壽命長(zhǎng)、工作可靠等一系列優(yōu)點(diǎn)，應(yīng)用十分廣泛。1）國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名法國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分組成，如表113所示。半導(dǎo)體特殊器件、場(chǎng)效應(yīng)器件、復(fù)...
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課程主要內(nèi)容,第一章半導(dǎo)體光電材料概述第二章半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)第三章PN結(jié)第四章金屬半導(dǎo)體結(jié)第五章半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)第六章半導(dǎo)體太陽(yáng)能電池和光電二極管第七章發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器第八章量子點(diǎn)生物熒光探針,第五章半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu),51異質(zhì)結(jié)及其能帶圖,異質(zhì)結(jié)由兩種...
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JFET，MOSFET，MESFET，CMOS器件的比較與發(fā)展趨勢(shì)姓名鄧旭光學(xué)號(hào)S201002040摘要JFET，MOSFET，MESFET，CMOS是傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件，是靠多數(shù)載流子傳導(dǎo)電流的器件。因此具備較好的高頻特性，功率特性，抗輻射能力強(qiáng)。由于其硅基工藝而在集成電路制造中廣泛使用。集成電...
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半導(dǎo)體的誕生隨著1962年第一只LED半導(dǎo)體發(fā)光二極管的誕生，一種體積小、壽命長(zhǎng)、安全低壓、節(jié)能、環(huán)保的新型照明燈具就進(jìn)入了科學(xué)家的視野。他們認(rèn)定，這種新型LED燈的固態(tài)照明（包括半導(dǎo)體照明和固體發(fā)光材料照明兩種，后者目前進(jìn)展較慢）必將帶來(lái)人類(lèi)照明領(lǐng)域的第...
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2024/3/21,1,SEMICONDUCTORDEVICES,第四章單極型器件,§41金半接觸§42肖特基勢(shì)壘二極管§43歐姆接觸§44結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管§45肖特基柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管§46異質(zhì)結(jié)MESFET,2024/3/21,2,SEMICONDUCTORDEVICES,簡(jiǎn)介,單極型器件是指基本上只有一種類(lèi)型的載流子參與導(dǎo)電過(guò)程的半導(dǎo)體...
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半導(dǎo)體發(fā)光器件半導(dǎo)體發(fā)光器件_一、一、半導(dǎo)體發(fā)光二極管工作原理、特性及應(yīng)用半導(dǎo)體發(fā)光二極管工作原理、特性及應(yīng)用作者佚名文章來(lái)源不詳點(diǎn)擊數(shù)440更新時(shí)間20051113半導(dǎo)體發(fā)光器件包括半導(dǎo)體發(fā)光二極管（簡(jiǎn)稱LED）、數(shù)碼管、符號(hào)管、米字管及點(diǎn)陣式顯示屏（簡(jiǎn)稱矩陣...
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半導(dǎo)體測(cè)試基礎(chǔ)半導(dǎo)體測(cè)試基礎(chǔ)術(shù)語(yǔ)術(shù)語(yǔ)摘要本章節(jié)包括一下內(nèi)容測(cè)試目的測(cè)試術(shù)語(yǔ)測(cè)試工程學(xué)基本原則基本測(cè)試系統(tǒng)組成PMU（精密測(cè)量單元）及引腳測(cè)試卡樣片及測(cè)試程序一、基礎(chǔ)術(shù)語(yǔ)描述半導(dǎo)體測(cè)試的專業(yè)術(shù)語(yǔ)很多，這里只例舉部分基礎(chǔ)的1DUT需要被實(shí)施測(cè)試的半導(dǎo)體器件通...
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DONALDDONALD讀書(shū)手記讀書(shū)手記201020101氧化（爐）（OXIDATION）對(duì)硅半導(dǎo)體而言，只要在高于或等于1050℃的爐管中，如圖23所示，通入氧氣或水汽，自然可以將硅晶的表面予以氧化，生長(zhǎng)所謂干氧層DRYZGATEOXIDE或濕氧層WETFIELDOXIDE，當(dāng)作電子組件電性絕緣或制程掩膜...
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