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文檔簡介
1、本文采用助熔劑提拉法生長了無宏觀缺陷、光學(xué)均勻性較好的單摻銅(Cu:LiNbO3)和銅鐵雙摻(Cu:Fe:LiNbO3)近化學(xué)計量比鈮酸鋰晶體。并總結(jié)出了生長化學(xué)計量比鈮酸鋰晶體合適的工藝參數(shù)。
晶體的X射線衍射結(jié)果表明：在單摻銅和銅鐵雙摻近化學(xué)計量比鈮酸鋰晶體中，隨著摻銅量的增加X射線衍射半高寬逐漸變窄。鐵的加入使半高寬變寬。
晶體的紅外吸收光譜測試結(jié)果表明：通過助熔劑法生長的單摻銅和銅鐵雙摻鈮酸鋰晶體在3466c
2、m-1處均有一個吸收峰，因此所生長出的晶體鈮鋰比均為近化學(xué)計量比，但是在3479.126cm-1處的吸收峰比較大，說明其本征缺陷較多，偏離化學(xué)計量比鈮酸鋰的程度較大。
晶體的紫外-可見吸收光譜測試結(jié)果表明：銅鐵摻雜均會在鈮酸鋰晶體中產(chǎn)生局域能級；在摻鐵量不變的情況下，隨著摻銅量的增加，吸收邊紅移。相對于生長態(tài)，氧化態(tài)的吸收邊紫移，還原態(tài)的吸收邊紅移。
光折變測試結(jié)果表明：各樣品衍射效率都不高，在摻鐵量不變的情況下，隨
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