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1、鈮酸鋰晶體由于其良好的電光性能在光折變效應(yīng)的研究和應(yīng)用中占據(jù)重要的地位。作為一種人工晶體,我們可以進(jìn)行不同的摻雜來對(duì)鈮酸鋰的光折變效應(yīng)進(jìn)行抑制和增強(qiáng),進(jìn)行各種應(yīng)用。Mg2+、Zn2+、In3+,Hf4,Zr4+,Sn4+是常用的抗光折變摻雜離子,特別是LiNbOs:Zr,在可見到紫外范圍內(nèi)的良好抗光折變性能,已經(jīng)引起研究者的極大興趣。過渡金屬元素,如Cr,Cu,Fe,Ce,Mn等,通常會(huì)增強(qiáng)晶體的光折變效應(yīng),其中摻鐵鈮酸鋰晶體的光折變效
2、應(yīng)最強(qiáng),衍射效率高,靈敏度大,但是LiNb03:Fe也有其固有的缺點(diǎn),例如響應(yīng)速度慢,光散射強(qiáng)等。雖然研究者們進(jìn)行了各種改良,但是性能仍不盡人意,因此我們有必要探索新型的光折變材料。
我們采用Czochralski法成功生長(zhǎng)出一系列鈮酸鋰晶體:
一:摻釩鈮酸鋰晶體。同成分選取點(diǎn)-[Li]/[Nb]=48.38/51.62摻V濃度分別為0.1,0.2,0.3,0.4,0.5,0.7,1和2m01%。
3、 二:鋯釩雙摻鈮酸鋰晶體:摻Zr濃度分別為1,2和3m01%,摻V濃度0.1mol%。采用XPS和EPR譜,我們測(cè)定了釩離子在鈮酸鋰中是三種價(jià)態(tài)共存:3+,4+,5+。同時(shí)初步測(cè)定了V3+在鈮酸鋰中的所引起的吸收峰大約在420mn(2.95eV),v4+大約在475 nm(2.61 eV).首先我們用二波耦合的方法,測(cè)試了單摻釩系列鈮酸鋰晶體在紫外波段(351nm)的光折變性能,發(fā)現(xiàn)在總寫入光強(qiáng)583mW/cm2時(shí),LN:Voa響應(yīng)時(shí)
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