摻鉿鈮酸鋰晶體的生長及其性能研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、從理論上來講，所有的光折變材料都可以寫入折射率相位光柵，都可用來制作三維體全息存儲器。但從商業(yè)應用的角度考慮，目前鈮酸鋰(LiNb03,LN)晶體和摻雜LiNb03晶體是最適合制作大容量三維體全息存儲器的光折變材料。純鈮酸鋰晶體是一種很早就被人工合成的晶體材料，盡管存在著響應時間長、指數增益系數小和抗光損傷(光致散射)能力低等缺點，但因其具有一些其它光折變材料所不具備的優(yōu)點，從而使它成為制作三維體全息存儲器的首選材料。 國內外大

2、量的研究表明:摻雜是提高LiNb03晶體抗光損傷能力的有效方法，而鉿的摻入對提高LiNb03晶體抗光損傷能力有十分明顯的作用。提高LiNbO3晶體的抗光損傷能力不僅具有實用價值，而且研究LiNb03晶體的抗光損傷機理還具有深遠的理論意義。 本文采用Czochralski方法生長了Hf:Ce:LiNb03和Hf:Ce:Cu:LiNb03晶體。通過X射線衍射(XRD)、光譜分析和差熱分析等方法分析了晶體的缺陷結構和摻雜離子的取代機理

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