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文檔簡介
1、鈮酸鋰(LiNbO3,LN)晶體作為“光學(xué)硅”的主要候選材料,在研究和應(yīng)用中有許多重要的特性,例如電光、聲光、熱光、壓電、非線性、光折變等效應(yīng)。近期的研究發(fā)現(xiàn)鈮酸鋰晶體中摻入四價鉿離子可以大幅提高其光學(xué)性能。然而,摻鉿鈮酸鋰晶體還有許多問題懸而未決,例如關(guān)于摻鉿的閾值濃度、本征缺陷與鉿離子的相互作用、紫外光折變、非揮發(fā)光存儲性能等。本論文就這些問題開展了深入的研究工作。
第一章首先介紹了鈮酸鋰晶體的基本物理性質(zhì),綜述了鈮酸
2、鋰晶體的缺陷模型理論,總結(jié)了鈮酸鋰晶體的光折變特性。
第二章首先研究了同成分和近化學(xué)比摻鉿鈮酸鋰晶體的OH吸收光譜。對于CLN:Hf,我們發(fā)現(xiàn)OH"吸收帶在摻雜濃度2.0—2.5 mol%之間中出現(xiàn)急劇藍(lán)移;而通過對比CLN:Hf和SLN:Hf晶體的OH吸收譜,我們發(fā)現(xiàn)隨著晶體中Li含量的增加,H+離子不再傾向于占在與3500 cm-1吸收峰相關(guān)的位置。其次,我們測量了同成分純鈮酸鋰的低溫紅外光譜,發(fā)現(xiàn)低溫下鈮酸鋰晶體將會
3、出現(xiàn)位于3200cm-1左右的新紅外吸收峰。該吸收峰與晶體中的氫離子無關(guān),并且其峰強(qiáng)和峰形都隨溫度的升高發(fā)生復(fù)雜的變化。我們提出該峰起源于電子在相鄰的小極化子(Nb+Li)和自由極化子(Nb+Nb)之間的躍遷。最后,我們測量了高摻鎂鈮酸鋰晶體的低溫紅外光譜,發(fā)現(xiàn)OH振動吸收峰隨溫度的降低向高波數(shù)端移動,并指出缺陷之間的相互作用隨溫度的降低而增強(qiáng)是造成OH振動吸收峰移動的主要原因。
第三章我們研究了摻鉿鈮酸鋰晶體的拉曼光譜,
4、測量了單摻鉿鈮酸鋰晶體E(TO)峰的半高寬隨鉿濃度的變化關(guān)系,發(fā)現(xiàn)所有E(TO)峰的半高寬對鉿濃度都有相似的依賴關(guān)系,并且該依賴關(guān)系為簡單線性和濃度在2.O到3.0 mol%之間的一個局域波動的結(jié)合。然而,LN:Hf,Fe和LN:Hf,Fe,Mn晶體拉曼半高寬隨鉿濃度變化的關(guān)系則為簡單線性關(guān)系。此外,在摻鉿鈮酸鋰晶體拉曼光譜的A1(TO)模中,我們在223cm-1附近發(fā)現(xiàn)了一個與鉿相關(guān)的局域模。
第四章我們采用光斑疇變和二
5、波耦合的方法研究了晶體的紫外光折變性能。透射光斑在2.O和2.5 mol%之間的變化非常明顯,說明摻雜閾值濃度應(yīng)該是在2.0和2.5m01%之間。二波耦合曲線表明能量存在穩(wěn)定轉(zhuǎn)移,紫外光折變的主導(dǎo)機(jī)制為擴(kuò)散并且主導(dǎo)光激載流子為電子。與高摻Mg、Zn和In鈮酸鋰晶體不同,摻鉿鈮酸鋰晶體中的光柵記錄在暗處是穩(wěn)定的,但是對紅光敏感。
第五章在不同的溫度下對鉿錳鐵三摻鈮酸鋰晶體進(jìn)行了熱處理,研究了晶體的非揮發(fā)性全息存儲性能,實(shí)驗(yàn)結(jié)
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