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文檔簡介
1、本論文中采用提拉法生長了一系列Mg:Er:LiNbO3晶體,研究了晶體的生長工藝、結構及光學性能。 在晶體生長部分中,對晶體生長的工藝參數進行了探索與優(yōu)化,確定了合理的生長工藝,生長出了質量較好的晶體,并對生長出的晶體進行了極化、切割、拋光等處理。 X-射線衍射結果表明,雖然晶胞體積有所改變,但Mg:Er:LiNbO3晶體仍然保持LiNbO3晶體原有的晶格結構,說明摻入的Mg和Er是以取代Li或Nb的方式進入晶體。通過紅
2、外光譜和紫外可見吸收光譜的分析,研究了Mg在摻雜LiNbO3晶體中的摻雜閾值濃度及其占位情況,提出了Mg在晶體中的占位模型:Mg在摻雜LiNbO3晶體中的閾值濃度為4~5mol%之間,在摻Mg量低于閾值濃度時,Mg離子取代反位鈮NbLi;高于閾值濃度時,Mg離子同時進入正常的Nb位和Li位。 用直接觀測光斑畸變法測試了Mg:Er:LiNbO3晶體的抗光損傷能力,結果表明其抗光損傷能力比純LiNbO3晶體高2個數量級以上,優(yōu)于單摻
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