非晶Se和Alq3材料中載流子電輸運(yùn)特性的實(shí)驗(yàn)研究.pdf

1、近些年來(lái),X光成像探測(cè)器得到了飛速的發(fā)展,在醫(yī)學(xué)領(lǐng)域發(fā)揮了重要的作用。X光成像探測(cè)器主要包括非晶硅型、非晶硒型和CCD型。相比較而言,非晶硒型具有轉(zhuǎn)換效率高、靈敏度好等優(yōu)點(diǎn),但是由于非晶態(tài)硒中載流子的電輸運(yùn)特性對(duì)溫度有依賴性,致使非晶硒型X光探測(cè)器存在對(duì)溫度敏感,使用條件受限以及適應(yīng)性差等一些缺點(diǎn),這樣就對(duì)器件的性能產(chǎn)生一定的影響。目前在25℃～65℃的溫度范圍內(nèi)關(guān)于非晶態(tài)硒中載流子的輸運(yùn)特性的報(bào)道比較少,因此,本論文的主要研究?jī)?nèi)容之一

2、就是非晶態(tài)硒中電荷載流子的輸運(yùn)特性,尤其是對(duì)溫度的依賴性。
　　主要工作包括在原來(lái)的基礎(chǔ)上進(jìn)一步對(duì)TOF(Time-of-Flight)測(cè)試系統(tǒng)進(jìn)行完善,給出確定TOF實(shí)驗(yàn)條件的標(biāo)準(zhǔn);確定Boxcar的參數(shù)標(biāo)準(zhǔn);給出渡越時(shí)間方法測(cè)量載流子遷移率實(shí)驗(yàn)中取樣電阻以及光脈沖能量的判斷標(biāo)準(zhǔn);非晶態(tài)測(cè)試樣品的制備,最后在適當(dāng)?shù)膶?shí)驗(yàn)條件下對(duì)非晶態(tài)樣品中載流子遷移率進(jìn)行測(cè)量,并討論了載流子遷移率隨溫度及場(chǎng)強(qiáng)的變化關(guān)系,給出載流子的輸運(yùn)模型。從實(shí)

3、驗(yàn)中得出結(jié)論:在25℃～65℃的溫度范圍下,非晶態(tài)硒中電荷載流子的輸運(yùn)服從淺陷阱模型。與此同時(shí),有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)也呈現(xiàn)出快速發(fā)展的勢(shì)頭。作為一個(gè)新興領(lǐng)域,它在國(guó)內(nèi)外的市場(chǎng)前景很廣泛。作為有機(jī)電致發(fā)光材料,8-羥基喹啉鋁也顯示出比較廣闊的應(yīng)用前景。鑒于目前國(guó)內(nèi)外關(guān)于8-羥基喹啉鋁中載流子電輸運(yùn)特性的研究比較少,尤其是載流子遷移率與溫度的關(guān)系。
　　作為本文的另一個(gè)主要研究?jī)?nèi)容,本文給出在25℃～65℃溫度范圍內(nèi)8-羥基喹

4、啉鋁中電荷載流子的遷移率對(duì)溫度的依賴關(guān)系,并給出在此溫度范圍內(nèi)載流子的輸運(yùn)模型。本文在適當(dāng)選取取樣電阻及光脈沖能量的條件下,利用我們實(shí)驗(yàn)室自己組建的TOF測(cè)試系統(tǒng),測(cè)量了25℃～65℃的溫度范圍內(nèi)非晶態(tài)硒和8-羥基喹啉鋁兩種材料中電荷載流子的電輸運(yùn)特性,給出了遷移率隨溫度的變化關(guān)系,同時(shí)也給出了載流子遷移率對(duì)場(chǎng)強(qiáng)的依賴關(guān)系。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:嚴(yán)格選擇實(shí)驗(yàn)條件是利用渡越時(shí)間方法對(duì)材料中載流子的遷移率進(jìn)行準(zhǔn)確測(cè)量的前提條件;同時(shí)還表明,在25℃