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1、分類號(hào)號(hào)UDCCC學(xué)號(hào)號(hào)03210043活場(chǎng)襯,去軍碩士學(xué)位論文利用蒙特卡羅方法研究THz輻射特性和光生載流子輸運(yùn)特性李孟霞學(xué)科名稱:學(xué)科門類:指導(dǎo)教師:申請(qǐng)日期:物理電子學(xué)2006年03月摘要利用蒙特卡羅方法研究丁Hz輻射特性和光生載流子輸運(yùn)特性學(xué)科:導(dǎo)師姓名:作者姓名:答辯日期:摘要:物理電子學(xué)施衛(wèi)教授李孟霞2006年3月簽名簽名島乞、毒兩霍.本文分析了THz電磁波的特性、產(chǎn)生、檢測(cè)方法、TF[z時(shí)域光譜探測(cè)、THz成像和TE[z波
2、在生物技術(shù)和信息技術(shù)領(lǐng)域的應(yīng)用及發(fā)展情況。詳細(xì)分析了系綜蒙特卡羅方法對(duì)G幾As光電導(dǎo)開關(guān)的模擬過(guò)程,分析了G幾As的能帶模型和散射模型,提出了需要考慮的幾種散射機(jī)制。詳細(xì)分析了程序結(jié)構(gòu)及實(shí)現(xiàn)流程,重點(diǎn)從載流子初始分布、自由飛行、泊松方程求解、散射機(jī)制處理等幾方面加以介紹。從分析G乙As光電導(dǎo)開關(guān)內(nèi)部載流子的產(chǎn)生及運(yùn)動(dòng)機(jī)制入手,對(duì)GaAs材料的重要特性負(fù)微分特性進(jìn)行了研究,得出了負(fù)微分遷移率曲線,并給出了電子在衛(wèi)星能谷的布居圖,指出了出現(xiàn)
3、速度過(guò)沖現(xiàn)象的原因。在此基礎(chǔ)上,我們研究了偏置電場(chǎng)、觸發(fā)光脈沖寬度和載流子濃度對(duì)TE[z輻射近場(chǎng)和遠(yuǎn)場(chǎng)特性的影響,指出了改善THz輻射的方法。按照自建電場(chǎng)與偏置電場(chǎng)的關(guān)系系統(tǒng)地研究了器件中載流子的運(yùn)動(dòng)規(guī)律和分布,以及載流子的分布又如何影響器件內(nèi)部的電場(chǎng),并最終如何影響器件的輸出電流波形。模擬中我們發(fā)現(xiàn),偏壓大于350Vcm,自建電場(chǎng)較大時(shí),電子在漂移過(guò)程中會(huì)出現(xiàn)分團(tuán)簇現(xiàn)象。此外,還對(duì)垂直于偏置電場(chǎng)方向的載流子自建電場(chǎng)進(jìn)行了初步的研究。關(guān)
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