已閱讀1頁(yè)，還剩52頁(yè)未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀
版權(quán)說(shuō)明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、隨著高長(zhǎng)縱比硅微通道陣列在其應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)揮的作用越來(lái)越大，電化學(xué)刻蝕硅微通道技術(shù)也得到了廣泛的關(guān)注，然而關(guān)于光電化學(xué)腐蝕硅微通道陣列硅中空穴輸運(yùn)特性的研究很少，光生空穴的激發(fā)和硅材料內(nèi)部載流子的輸運(yùn)直接影響硅微通道陣列的刻蝕結(jié)果。
本文以硅的表面特性為基礎(chǔ)，利用硅材料能帶結(jié)構(gòu)闡述了光照輔助電化學(xué)腐蝕硅微通道陣列載流子的輸運(yùn)原理;以N型硅為研究對(duì)象，掃描了擴(kuò)散和離子注入兩種工藝加工硅片的I-V特性曲線，對(duì)比不同歐姆接觸層對(duì)空穴激發(fā)
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請(qǐng)與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 硅微通道電化學(xué)腐蝕過(guò)程中的輸運(yùn)特性.pdf
- 硅微通道板電化學(xué)腐蝕過(guò)程中空穴的輸運(yùn)特性的研究.pdf
- 電化學(xué)腐蝕多孔硅光致發(fā)光特性研究.pdf
- 電化學(xué)腐蝕技術(shù)制備微通道列陣.pdf
- 大孔硅通道列陣光電化學(xué)腐蝕機(jī)理研究.pdf
- 化學(xué)腐蝕與電化學(xué)腐蝕
- 電化學(xué)腐蝕學(xué)案
- 電化學(xué)腐蝕習(xí)題
- 硅基納米發(fā)光材料——多孔硅的脈沖電化學(xué)腐蝕特性研究.pdf
- 電化學(xué)腐蝕法制備納米硅薄膜的結(jié)構(gòu)和發(fā)光特性的研究.pdf
- 董雪亮 電化學(xué)腐蝕論文
- 4-4電化學(xué)腐蝕
- 黃卿_電化學(xué)腐蝕論文
- 電化學(xué)加工硅微通道生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)特性研究.pdf
- 硅微通道板電化學(xué)微加工等徑控制技術(shù)研究.pdf
- 《金屬的電化學(xué)腐蝕》教學(xué)設(shè)計(jì)
- 金屬的電化學(xué)腐蝕與防護(hù)
- 換流閥冷卻系統(tǒng)電化學(xué)腐蝕機(jī)理研究.pdf
- 硅基三維結(jié)構(gòu)電化學(xué)腐蝕技術(shù)及機(jī)理研究.pdf
- 金屬的電化學(xué)腐蝕與防護(hù)課件
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論