硅微通道電化學(xué)腐蝕過(guò)程中的輸運(yùn)特性.pdf_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、電化學(xué)刻蝕硅微通道技術(shù)已經(jīng)被廣泛關(guān)注，但是電化學(xué)刻蝕硅微通道過(guò)程中的輸運(yùn)特性卻鮮有報(bào)道，然而硅片中載流子的輸運(yùn)，硅/HF界面電荷的輸運(yùn)以及溶液中物質(zhì)的輸運(yùn)直接影響微通道結(jié)構(gòu)的刻蝕結(jié)果。
　　本論文從硅的基本性質(zhì)出發(fā)，結(jié)合半導(dǎo)體能帶理論以及電荷傳遞理論闡述了電化學(xué)刻蝕硅微通道過(guò)程中的輸運(yùn)原理；以n-型(100)晶向單晶硅為研究對(duì)象，設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)，找出硅片中載流子的最佳激發(fā)波長(zhǎng)為850nm，以磷離子注入工藝制備的歐姆接觸層能產(chǎn)生更多的光生

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