硅微通道板電化學(xué)腐蝕過程中空穴的輸運(yùn)特性的研究.pdf

1、隨著硅微通道陣列在生產(chǎn)生活、醫(yī)療航天等應(yīng)用領(lǐng)域的作用變得越來越重要，大家對(duì)利用成本低、方法比較簡便的電化學(xué)腐蝕技術(shù)來制備微通道結(jié)構(gòu)的關(guān)注度在明顯上升。于是，對(duì)于硅微通道電化學(xué)腐蝕過程的機(jī)理研究被更加的重視起來，而在硅微通道電化學(xué)腐蝕過程中空穴的輸運(yùn)性質(zhì)正是其中比較重要的一點(diǎn)。
　　本文以硅相關(guān)特性為基礎(chǔ)，闡述了光照輔助電化學(xué)腐蝕硅微通道陣列載流子的輸運(yùn)原理；說明了在半導(dǎo)體硅材料中存在的載流子輸運(yùn)機(jī)制的模型，如雜質(zhì)散射機(jī)制和晶格振動(dòng)

2、散射機(jī)制的原理；通過改變光源的位置來控制照射到硅片上的光強(qiáng)，通過不同光強(qiáng)條件下的Mott-Schottky曲線得到相對(duì)應(yīng)的平帶電位，比較得出隨著光強(qiáng)的降低，平帶電位為負(fù)值且其絕對(duì)值也在減小，也就意味著光生空穴的產(chǎn)生變少了；通過對(duì)不同腐蝕電壓條件下得到的硅微通道陣列的形貌進(jìn)行比較與分析，根據(jù)通道形貌與空穴輸運(yùn)情況的相關(guān)關(guān)系，得出過高的腐蝕電壓會(huì)導(dǎo)致輸運(yùn)的空穴量超出所需，而過低的電壓又導(dǎo)致輸運(yùn)的空穴量不足，因而需要選擇一個(gè)較為合適的腐蝕電壓