導(dǎo)線陣列產(chǎn)生的微電磁力操縱磁粒子研究.pdf

1、當(dāng)磁粒子包裹相應(yīng)的外層物質(zhì)時，可以與細(xì)胞產(chǎn)生選擇性黏附，該特性可用于細(xì)胞分離、分選、藥物運(yùn)輸?shù)?。在硅片上制作?dǎo)線陣列，通過對相應(yīng)導(dǎo)線陣列的通斷電控制，可以操縱微磁粒子運(yùn)動，也就控制了與其相聯(lián)的細(xì)胞運(yùn)動。細(xì)胞運(yùn)動到指定位置，借助工具對細(xì)胞進(jìn)行操作，研究細(xì)胞特性。 本論文研究工作的主要內(nèi)容如下： 1．全面地概述了國內(nèi)外細(xì)胞操縱方法的發(fā)展?fàn)顩r與工作原理。 2．從理論上對基于導(dǎo)線陣列產(chǎn)生的微電磁力操縱磁粒子方案進(jìn)行

2、可行性分析，并使用有限元分析軟件ANSYS作導(dǎo)線陣列相關(guān)的電磁場分布情況模擬分析、在有培養(yǎng)液情況下的溫度場分布情況模擬分析，以及用計(jì)算軟件Matlab對磁粒子在局部磁場作用下所受到的電磁力、磁粒子運(yùn)動時受到培養(yǎng)液粘滯力進(jìn)行計(jì)算仿真。 3．設(shè)計(jì)了導(dǎo)線陣列的結(jié)構(gòu)尺寸和工藝流程，并制作了光刻掩膜版。完成了導(dǎo)線陣列的各種工藝的研究，其中關(guān)鍵的工藝是PECVD和磁控濺射。在PECVD氮化硅過程中采用了新工藝，使PECVD溫度只需100℃