AlGaAs-Sn混晶中DX中心能級的精細結構.pdf

1、該文將報告采用定電容電壓瞬態(tài)法,測量了不同溫度下n型Al<,x>Ga<,1-x>As:Sn(x=0.26)中DX中心電子熱俘獲過程和不同俘獲時間后電子熱發(fā)射過程的定電容電壓瞬態(tài),得到俘獲瞬態(tài)譜隨著溫度的升高而縮短.分析這些俘獲瞬態(tài)的半對數(shù)譜,得知都是非指數(shù)過程.對它們進行數(shù)值Laplace變換得到Laplace缺陷譜(LDS),LDS譜呈有規(guī)律的變化,即隨著溫度的降低它們逐漸向時間常數(shù)長的方向移動,譜峰數(shù)目逐漸增加.分析各溫度下俘獲時間

2、t<,p>=100us、380ms和足夠長的發(fā)射瞬態(tài)的LDS譜.足夠長俘獲時間的LDS譜比100us或380ms俘獲時間對應的LDS譜的峰數(shù)多,多出來的峰出現(xiàn)在LDS譜的右邊即低發(fā)射率的一邊,分析后確定了DX中心電子熱發(fā)射和熱俘獲的LDS譜之間的對應關系.通過分析熱俘獲系數(shù)的溫度依賴關系的Arrhenius圖,得到Al<,0.26>Ga<,0.74>As:Sn混晶中DX中心的5個熱俘獲勢壘分別為0.232、0.229、0.226、0.1