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1、該文用射頻偏壓磁控濺射法在水冷絳綸脂膠片(PPA)上制備出了最低電阻率為3.4×10<'-4>Ωcm、透過率為80﹪的In<,2>O<,3>:SnO<,2>(ITO)及電阻率為3.78×10<'-3>Ωcm、透過率為80﹪的ZnO:Al(AZO)透明導(dǎo)電膜,研究了薄膜的光電性質(zhì)對摻雜濃度及淀積工藝參數(shù)的依賴關(guān)系;以柔性襯底的ITO膜為基底用電共沉積法淀積了Al<,x>Ga<,1-x>As和In<,x>Ga<,1-x>As,研究了通過調(diào)節(jié)
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