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文檔簡(jiǎn)介
1、為了提高TC4鈦合金的硬度,利用熔鹽電解法,采用FClNaK-Na2B4O7熔鹽體系,于TC4鈦合金(Ti6Al4V)基體上制備滲硼層。
選用NaCl-KCl-NaF-Na2B4O7摩爾比為2:2:1:0.04的熔鹽于試樣表面進(jìn)行熔鹽電解滲硼,運(yùn)用增重法、輝光放電光譜儀、掃描電子顯微鏡及X射線衍射分析儀等分析手段,分析研究了電流密度、占空比、電解時(shí)間和電解溫度等工藝參數(shù)的變化對(duì)滲硼層沉積速率、厚度、成分、形貌和物相組成的影響,
2、利用顯微硬度計(jì)和電化學(xué)工作站測(cè)量了基體和滲硼試樣的硬度和耐腐蝕性,同時(shí)從熱力學(xué)和動(dòng)力學(xué)角度對(duì)滲硼過(guò)程進(jìn)行了探究。
研究結(jié)果表明:電解時(shí)間增長(zhǎng),電解溫度增高,滲硼層的沉積速率增大,同時(shí)所制備的滲硼層的厚度增高;當(dāng)電流密度由小到大變化時(shí),滲硼層的沉積速率和所制備滲硼層的厚度都呈現(xiàn)先增大后減小的趨勢(shì),且沉積速率和滲層厚度都在電流密度60mA/cm2時(shí)達(dá)到峰值;伴隨著占空比上升,沉積速率降低,但不同占空比下所得滲層的厚度相差不大。滲硼
3、層不含Al,而V則易固溶于硼化物中。伴隨著電解時(shí)間的延長(zhǎng),電解溫度的升高以及占空比的變大,滲硼層表面晶粒由細(xì)小變得粗大;當(dāng)電流密度升高,滲硼層晶粒變??;電解時(shí)間較短(30min)基體表面沒(méi)有形成合金層。滲硼層主要由TiB和TiB2組成,滲硼層在(111)晶面上擇優(yōu)生長(zhǎng);因較小原子半徑的V元素固溶于較大原子半徑的Ti中造成滲硼層的TiB相的衍射峰向大角度偏移。采用熔鹽電解法于TC4鈦合金表面進(jìn)行滲硼的最優(yōu)工藝參數(shù)為:電流密度60mA/cm
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