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文檔簡介
1、新型納米光電器件是當(dāng)前材料科學(xué)、微電子器件領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)。當(dāng)前,提高光電探測器的響應(yīng)率、探測率和響應(yīng)時(shí)間等性能指標(biāo)是當(dāng)今科學(xué)研究中關(guān)心的問題。當(dāng)前,與單色工作波長的光電探測器相比,寬帶或多色光電探測器的可響應(yīng)范圍光譜較寬,可實(shí)現(xiàn)一體化多功能的實(shí)際應(yīng)用,因此旨在集高性能和多波段探測功能為一體的光電探測器的研究工作顯得尤為重要。
基于以上考慮,本文采用金納米棒陣列來提高具有寬波段響應(yīng)的半導(dǎo)體PbS薄膜探測器的光電響應(yīng)特性。具體研究
2、工作為:
(1)利用化學(xué)浴沉積法制備了硫化鉛納米薄膜,并通過對(duì)沉積溫度、絡(luò)合劑等沉積參數(shù)的調(diào)控制備出在可見到近紅外范圍內(nèi)吸收光譜峰位可調(diào)的PbS薄膜。
(2)利用四步陽極氧化法制備出超薄多孔雙通二氧化鈦薄膜。以此為掩膜結(jié)合電子束蒸發(fā)技術(shù)構(gòu)筑了有序金納米陣列修飾的PbS薄膜光電探測器。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),有序金納米陣列修飾后,PbS薄膜的響應(yīng)率明顯提高,且其共振增強(qiáng)效果具有明顯的波長選擇性。當(dāng)修飾的金納米棒陣列的高度從30nm增
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