多層膜隧道結的研究.pdf

1、該論文研究了隧穿電子對薄膜負阻的產(chǎn)生的影響.負阻現(xiàn)象最早出現(xiàn)在P-N結的隧道二極管中,后來Hickmott發(fā)現(xiàn)了MIM結的負阻現(xiàn)象,因為MIM結構使電子器件中黨見的結構,因此研究它的負阻現(xiàn)象有普遍的意義.研究人員制備了三種隧道結,并對其I-V特性進行了測試,都發(fā)現(xiàn)了負阻現(xiàn)象,對負阻現(xiàn)象從能量的角度和微觀機制上都作了合理的解釋,總的來負阻的產(chǎn)生都是與隧穿電子的能量減小,激發(fā)了無激發(fā)有關.對于MIM隧道結,負阻現(xiàn)象的產(chǎn)生是因為隧穿電子激發(fā)了

2、頂電極和介質界面的SPP波,隨著電壓的增加,SPP波加劇,在基底附加的粗糙度菜射下,得到動量補償,耦合成可見光子,對于FM/I/FM結構的隧道結,研究人員也發(fā)現(xiàn)了負阻現(xiàn)象,和M/FM/M結構一樣,隧穿電子激發(fā)了界面的SPP,但是沒有發(fā)射可見光,隧穿電子的能量直接或間接的激發(fā)了鐵磁體的自旋波.研究人員認為隧穿結中的隧穿電子的能量激發(fā)了元激發(fā),對隧穿電子起了阻擋作用,從而引起了負阻的產(chǎn)生,伴隨元激發(fā)的產(chǎn)生,薄膜具有很多物理性質值得研究人員深