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文檔簡介
1、本文基于光的干涉、全息光刻理論以及條紋鎖定技術(shù)等理論基礎(chǔ)。先通過理論分析設(shè)計出納米級陣列圖形，再通過建立多光束全息光刻系統(tǒng)成功在光刻膠層制備出光柵，孔陣及點(diǎn)陣周期陣列圖形，設(shè)計周期均為528nm。然后通過濕法腐蝕和干法刻蝕技術(shù)，制備出高分辨率，大視場，精細(xì)的納米級陣列圖形。基于GaAs襯底，得出全息光刻單曝光制備光柵圖形最優(yōu)曝光時間為40s。全息光刻雙曝光制備孔陣圖形最優(yōu)曝光時間為60s，全息光刻雙曝光制備點(diǎn)陣圖形最優(yōu)曝光時間為90s。
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