體硅背多義性蝕型L波段FBAR濾波器設(shè)計(jì).pdf

1、由體硅背刻蝕型FBAR組成的濾波器能夠滿足目前高性能射頻前端濾波的要求，是一種全新的射頻濾波器解決方案?；赬X機(jī)構(gòu)給出的技術(shù)指標(biāo)，結(jié)合工藝約束條件，設(shè)計(jì)了一個(gè)中心頻率1.532GHz、帶寬20MHz、帶內(nèi)插損2dB、帶內(nèi)波動(dòng)0.7dB、帶外抑制42dB的體硅背刻蝕型L波段FBAR濾波器。在設(shè)計(jì)中，針對(duì)FBAR濾波器的溫度穩(wěn)定性、窄帶寬指標(biāo)、高頻以及高集成度時(shí)的電磁干擾問(wèn)題，給出了相應(yīng)的解決方案。
　　為了提高FBAR的溫度穩(wěn)定性

2、，本文設(shè)計(jì)了一種外置式的溫度補(bǔ)償結(jié)構(gòu)FBAR，外置溫度補(bǔ)償層除了能夠改善FBAR的溫度穩(wěn)定性之外，還能實(shí)現(xiàn)支撐層結(jié)構(gòu)增強(qiáng)、FBAR諧振頻率后處理工藝修調(diào)的功能。分析了補(bǔ)償層對(duì)FBAR溫度-頻率漂移的影響，通過(guò)合理地調(diào)節(jié)補(bǔ)償層的厚度，使得FBAR的頻率溫度系數(shù)絕對(duì)值從未添加補(bǔ)償層時(shí)的15.87/℃降為0.86/℃，有效地提高了FBAR的溫度穩(wěn)定性。
　　為了滿足FBAR濾波器的窄帶寬指標(biāo)，本文提出了一種以級(jí)聯(lián)兩中心頻率不同的FBAR

3、濾波器為主，輔以提高并聯(lián)/串聯(lián)FBAR諧振面積比、增加壓電疊層內(nèi)普通聲學(xué)層厚度的窄帶寬FBAR濾波器設(shè)計(jì)方法。根據(jù)各指標(biāo)的制約關(guān)系，得出了綜合滿足帶外抑制、帶內(nèi)插損、帶內(nèi)波動(dòng)指標(biāo)以及器件可靠性的20MHz窄帶寬FBAR濾波器設(shè)計(jì)流程。
　　針對(duì)FBAR濾波器在緊湊空間內(nèi)集成有多個(gè)FBAR單元的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，本文提出了一種FBAR濾波器的電磁兼容性設(shè)計(jì)。通過(guò)推導(dǎo)復(fù)合普通聲學(xué)層FBAR的等效介電常數(shù)，利用高頻電磁仿真軟件實(shí)現(xiàn)了FBAR濾波