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1、靜電力顯微鏡(Electrostatic Force Microscope)是一種非損傷性的探測(cè)半導(dǎo)體靜電力分布的新興技術(shù)。隨著該技術(shù)的不斷完善,靜電力顯微鏡得到了廣泛的應(yīng)用跟發(fā)展。近年來(lái)研究表明,靜電力可以用來(lái)表征半導(dǎo)材料中摻雜原子。探測(cè)摻雜原子的傳統(tǒng)方法是掃描隧道顯微鏡技術(shù)(Scanning Tunneling Microscopy)。該技術(shù)有一個(gè)最大的缺陷就是探測(cè)距離比較短。而靜電力顯微鏡測(cè)量是靜電力(Electrostatic
2、Froce)信號(hào),該信號(hào)的探測(cè)距離是掃描隧道顯微鏡的十倍以上。盡管有些研究已近表明靜電力可以用來(lái)表征不同摻雜原子,使用靜電力顯微鏡測(cè)量并表征半導(dǎo)體器件中的摻雜原子分布尚屬首次。
本次研究展示了兩個(gè)半導(dǎo)體器件在靜電力顯微鏡探測(cè)下的摻雜原子分布結(jié)果。結(jié)果表明,靜電力分布圖確實(shí)可以表征摻雜原子分布結(jié)果。顯微鏡探針與不同摻雜原子之間可以產(chǎn)生強(qiáng)弱不一的靜電力,從而造成靜電力分布圖的波動(dòng)。通過(guò)靜電力的分布,可以直接推斷摻雜原子的分布。
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