二維電子氣深度對(duì)一維電子通道中聲電電流的影響.pdf

1、高頻表面聲波(SAW)驅(qū)動(dòng)下的單電子輸運(yùn)問題的研究對(duì)物理學(xué)的基礎(chǔ)理論、半導(dǎo)體器件的進(jìn)一步發(fā)展和計(jì)量學(xué)的研究具有重要意義.該文在已有理論模型的基礎(chǔ)上,著重研究了二維電子氣(2DEG)深度對(duì)聲電電流量子化特性的影響,得到了若干創(chuàng)新性的結(jié)果:推廣了在不考慮2DEG深度情況下參數(shù)β的定義,提出了一個(gè)函數(shù)關(guān)系作為聲電電流量子化特性的分析公式,得到了求解一維薛定諤方程的數(shù)值解的程序和對(duì)量子化聲電電流有益的二維電子氣的最佳深度區(qū)間,計(jì)算結(jié)果與實(shí)驗(yàn)結(jié)果

2、一致.這些結(jié)果對(duì)研制表面聲波驅(qū)動(dòng)單電子輸運(yùn)器件,特別是器件所需的GaAs/Al<,x>Ga<,1-x>As壓電異質(zhì)結(jié)中二維電子氣的深度提供了有益的參考和指導(dǎo).在前三章中,首先介紹了半導(dǎo)體、異質(zhì)結(jié)、二維電子氣、表面聲波、叉指換能器和壓電效應(yīng)等在該研究領(lǐng)域中的基本概念.接著,闡述了GaAs/Al<,x>Ga<,1-x>As異質(zhì)結(jié)中2DEG的產(chǎn)生機(jī)理和準(zhǔn)一維電子通道的形成機(jī)理.最后,綜述了這一研究領(lǐng)域的最新進(jìn)展及所采用的方法原理.在第四章中,