一款具有高PSRR低壓差線性穩(wěn)壓器的研究.pdf

1、在手機(jī)、MP3、ipad等小型化電子商品不斷普及的趨勢下，電源管理芯片的研發(fā)也逐步成為關(guān)注焦點(diǎn)。其中，LDO依賴體積小、外圍電路少、無紋波、EMI等獨(dú)特優(yōu)勢，在電源管理芯片市場中占據(jù)較大的市場份額。而在射頻電路、數(shù)?；旌想娐芬约癝OC技術(shù)中，電源微弱噪聲影響將更為突出。因此，研究一款具有高電源抑制率的LDO極具現(xiàn)實(shí)意義。
　　本文旨在研發(fā)一款具有高PSRR的LDO，應(yīng)用于CDMA手機(jī)射頻電路供電。首先論文深入討論了LDO中電源噪聲

2、傳播到LDO輸出端的3大途徑，即帶隙基準(zhǔn)模塊引入噪聲、誤差放大器模塊引入噪聲以及功率級(jí)電路引入噪聲，并分別討論了這3大途徑引入噪聲的機(jī)制。基于此，針對(duì)功率級(jí)電路，采用了前饋紋波消除技術(shù)，有效抑制了功率級(jí)有限輸出阻抗rds以及負(fù)反饋環(huán)路vgs引入的噪聲；針對(duì)帶隙基準(zhǔn)模塊電路，采用預(yù)穩(wěn)壓技術(shù)，有效抑制其引入的噪聲；針對(duì)誤差放大器模塊電路，采用N-DA+P-CS組合方式的兩級(jí)誤差放大器，有效提高其電源抑制能力。其次，針對(duì)環(huán)路穩(wěn)定性問題，論文分

3、析了常用的三種頻率補(bǔ)償方法，采用含偽ESR電阻的固定零點(diǎn)頻率補(bǔ)償技術(shù)作為本設(shè)計(jì)的穩(wěn)定性設(shè)計(jì)方案，確保了充裕相位裕度。另外，還設(shè)計(jì)了過溫保護(hù)、過流保護(hù)以及短路保護(hù)等保護(hù)電路。
　　最后基于華潤上華0.5μm N阱工藝，在工藝角為tt、常溫、供電電壓5V、負(fù)載電容CL為10μF條件下，進(jìn)行電路設(shè)計(jì)與仿真。仿真結(jié)果為，最小壓降Vdrop約為200mV；在負(fù)載電流Iload為200mA的條件下，靜態(tài)電流Iq約為116μA；線性調(diào)整率SV約