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文檔簡介
1、現(xiàn)代移動通信的飛速發(fā)展,對信息傳輸?shù)母哔|(zhì),高量推動了射頻 LDMOS向更高的頻率和更寬的帶寬應(yīng)用,同時也給設(shè)計技術(shù)帶來了嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。由于國內(nèi)射頻 LDMOS研發(fā)能力與國外存在不小差距,開展 LDMOS的研究和設(shè)計對國防和國民經(jīng)濟(jì)有重要意義。
本論文主要針對S波段射頻LDMOS器件進(jìn)行設(shè)計和建模。LDMOS器件結(jié)構(gòu)采用了單層Shield源極場板;源極有源區(qū)采用減小器件面積的Trench sinker結(jié)構(gòu)。基于該結(jié)構(gòu)進(jìn)行了仿真設(shè)計
2、與部分結(jié)構(gòu)參數(shù)的優(yōu)化。并用 Cadence繪制了器件版圖,在上海華虹宏力半導(dǎo)體公司進(jìn)行流片實驗。對柵長0.4μm,柵寬140μm的器件得到飽和電流210mA/mm,擊穿電壓65V,閾值電壓1.5V,截止頻率9GHz。對柵寬1mm的器件,獲得3dB增益壓縮功率30.1dBm,最大增益20.1dB以及最大效率53.1%,功率密度達(dá)到1W/mm。
最后基于測試數(shù)據(jù),采用Angelov非線性模型對柵長0.4μm,柵寬140μm的LDM
3、OS器件進(jìn)行了模型分析。其中在直流IV模型擬合時,將擬合因子P1與漏壓Vds關(guān)聯(lián),得到了較好的擬合結(jié)果。在非線性電容模型分析中,測試的漏源電容Cds發(fā)現(xiàn)其受偏壓影響較大,因此,同時對Cds、Cgs和Cgd進(jìn)行了模型擬合。最后將建立的模型嵌入到ADS中,得到了小柵寬器件的大信號模型。
本論文通過器件設(shè)計仿真,測試獲得了性能較好的RF LDMOS器件。并建立了雙柵指小柵寬器件的大信號模型,為以后對大柵寬大功率RF LDMOS器件的
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